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  1. 法拉第效应实验-磁致旋光现象

  2. 845年，法拉第（M.Faraday）在探索电磁现象和光学现象之间的联系时发现：当一束平面偏振光穿过非旋光性介质时，如果给介质沿光的传播方向加上磁场，就会观察到光经过介质后偏振面转过 角度（即磁场使介质具有了旋光性），这种磁致旋光现象就称为法拉第效应。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-08-02
    • 文件大小：109kb
    • 提供者：song4412719

  1. 磁流变抛光回转对称非球面工件精确自定位

  2. 为解决磁流变抛光中回转对称非球面工件的高效率精确自定位问题，提出了基于迭代最近点（ICP）的改进两级定位方法(ITLICP)。首先，根据磁流变抛光特性和恒浸深控制要求，确定了磁流变抛光工件非调平定位自原理。接着，针对经典ICP算法应用于回转对称非球面工件定位存在解不唯一及计算效率低的问题，构建初始迭代矩阵实现了位姿唯一的指定性匹配；并提出了空间垂直映射方法，减小匹配点云的规模，提高了计算效率。以此为基础，提出了改进后的两级ICP精确定位方法ITLICP。最后，以φ100mm凹形抛物面熔石英工件为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：554kb
    • 提供者：weixin_38615397

  1. 磁光双稳系统的非稳特性

  2. 从具有延时反馈回路的磁光双稳系统的动力学方程出发,讨论了该系统的一些非稳特性,研究了磁光双稳系统的消光比对该系统非稳特性的影响.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：998kb
    • 提供者：weixin_38673812

  1. 固体材料的磁光效应及其应力、温度和色散特性

  2. 本文应用经典电磁场理论推导了磁光效应的基本关系式,运用有效场概念得到了适用于各种磁光介质情形的法拉第旋转θ的明确表达式.证明了θ与有效场H_(?)成正比关系并具有强的色散特性;在弱磁介质中外应力对θ具有明显的影响;逆磁性介质的费尔德常数V与温度T无关,有些顺磁性介质的费尔德常数V_p与磁化率x的比值V_p/X=G(1+RT);在反铁磁性和亚铁磁性介质中,θ与各次点阵磁化强度M_(?)有关,其温度特性不仅取决于次点阵磁化强度,而且取决于磁光系数与温度的依赖关系.计算结果与实验符合得很好.计算还表明

  3. 所属分类：其它

  1. 交变磁场下磁光薄膜动态法拉第效应特性的测量

  2. 论述了在交变磁场下测量磁光薄膜动态法拉第效应的原理和方法.利用此方法,在不同的调制磁场强度和频率下测量磁光薄膜的动态法拉第旋转特性,获得了较好的测量结果,并对测量误差进行了分析.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：848kb
    • 提供者：weixin_38501810

  1. 基于单向边界模式与磁性微腔模式耦合的磁光存储系统

  2. 光存储系统是未来全光通信和全光计算的关键要素。基于有限元方法的仿真实验研究，设计了一种新型的光学存储系统，该系统基于磁光光子晶体单向边界模式与微腔模式的耦合。应用磁光光子晶体单向边界模式特性形成闭合回路。设计另外的单向波导和磁性微腔，电磁信号不仅能从闭合回路中取出，而且能写入回路。通过外加磁场控制微腔属性，可动态实现电磁信号的读写操作。

  3. 所属分类：其它

  1. 磁光Bragg衍射中的接地效应

  2. 使用表面磁导率法得到任意偏置磁化金属覆层波导中的静磁波传播方程,并结合磁光理论分析了接地效应对基于静磁表面波的磁光Bragg衍射的影响.计算表明,通过恰当设置金属与磁性YIG薄膜间距可以大幅提高磁光衍射效率;而调整偏置磁场方向还可以进一步增强接地效应对磁光衍射的影响;同时分析发现,由接地效应引起的衍射效率峰值对应的频率点与静磁表面波零色散点基本重合,即表现出弱色散特性;而该效应也可提高基于磁光Bragg单元的射频频谱分析能力.因此,接地结构的磁光衍射器件在微波通信、光信号处理等方面具有广泛的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：454kb
    • 提供者：weixin_38600460

  1. 克尔磁光效应的经典理论分析

  2. 本文引入与自旋-轨道相互作用等有关的有效场概念,运用经典电磁场理论,推导了磁光克尔旋转的明确表达式.证明了各种磁光介质的极向克尔旋转θk的实部θ′k和虚部θ″k均与有效场Hi成正比,在铁磁性介质中近似与vM成正比,M为磁化强度,在亚铁磁性等介质中近似与viMi成正比,Mi为i次点阵的磁化强度.同时还证明了近似的横向克尔旋转θkt与Hi2正比;θk和θkt的温度特性取决于Hi的温度特性.

  3. 所属分类：其它

  1. 磁光晶体GdYBiIG的磁致退偏效应

  2. 建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。该系统采用中心波长为1538 nm的WGY型半导体激光器,在0～1500 mT的大范围可调磁场下,对光隔离器用磁光晶体GdYBiIG样品的退偏效应进行了测试。测试结果表明,达到磁饱和或接近磁饱和时,GdYBiIG晶体的偏振性能最优;达到磁饱和后,随着磁场的增强,出现了磁致退偏效应。分析了磁致退偏效应的产生机理,给出磁致圆二向色性及磁致线双折射是产生退偏的原因。实验测试与理论分析表明,根据磁光晶体GdYBiIG这种退偏效应的规律性,在利用该类晶体制作磁光器件时,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：552kb
    • 提供者：weixin_38690739

  1. 铯原子磁光阱中冷原子的缀饰态光谱

  2. 在磁光阱中的铯原子由于冷却光的存在将被缀饰化。借助于波长为852.3 nm(对应于铯原子6S1/2F=4→6P3/2F′=3和6S1/2F=4→6P3/2F′=4超精细跃迁)和794.6 nm(对应于铯原子6P3/2F′=5→8S1/2F″=4超精细跃迁)的探测光的透射光谱分别对磁光阱中冷原子基态6S1/2F=4和激发态6P3/2F′=5在冷却光作用下形成的缀饰态分裂进行了实验研究, 并分析了其光谱特性。结果表明, 在冷却光强度、失谐量相同的实验条件下, 基态、激发态的缀饰分裂间距相同, 与缀饰

  3. 所属分类：其它

  1. 磁光调制和法拉第旋转测量

  2. 本文描述石榴石单晶薄膜磁光调制器的基本特性.文中论述了磁光调制倍频法测量法拉第旋转角θ的基本原理和方法,讨论测试结果,分析测量误差.指出其优点是用这种新方法测得的θ将不受激光源幅度变化以及光路中其它元器件不稳定因素的影响,测量精度达±0.020°.

  3. 所属分类：其它

  1. 高功率微波场中In-BiCaVIG晶体的磁光记录特性

  2. 报道了铟铋钙钒铁石榴石 (In-BiCaVIG) 晶体在高功率微波场中的新颖磁光记录特性.In-BiCaVIG晶体受峰值功率约100 MW,频率约10 GHz,脉宽约50 ns的高功率微波脉冲作用后,晶体的磁旋光角发生了变化.其变化的大小与晶体通光方向上的磁场峰值大小有关;旋光角变化的方向与晶体的初始磁旋光状态有关.这种记录着高功率微波峰值磁场的旋光状态的变化可以保持几天或更长时间,能够用静磁场消除.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：103kb
    • 提供者：weixin_38656462

  1. 用于光纤电流传感器的掺Bi稀土铁石榴石单晶生长与磁光性能

  2. 用熔盐法生长了两种Bi替代的高法拉第旋转、温度稳定的稀土铁石榴石磁光单晶Bi-HoYbIG和Bi-GdYIG,测试分析了其在近红外波段的磁光性能及其温度特性。Ho3-z-y,YbyiBixFe512(x＝1.03,y=1.20)单晶的比法拉第旋转角为-891°/cm(λ=1.31μm)和-767°/cm(λ＝1.55μm),Y3-z-yGdyBixFe5O12(x=0.46,y=0.24)单晶的值为－1067°／cm(λ=1.31μm)和-882°／cm(λ=1.55μm),两者都比纯YIG晶体

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：946kb
    • 提供者：weixin_38594266

  1. 铁磁性物质中法拉第磁光效应及其温度特性的量子理论

  2. 在铁磁性物质中,磁光效应除了来源于自旋-轨道相互作用所导致的激发态能级分裂以外,还来源于交换作用和外磁场所导致的基态能级分裂。根据这一理论进行的计算表明,在远低于居里温度和高温、高居里点两种极端情形,法拉第旋转θ与磁化强度M呈线性关系。在一般温度区域,θ与M及温度T呈非线性关系。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1008kb
    • 提供者：weixin_38703968

  1. 非线性光纤萨尼亚克结构的磁控特性

  2. 推导了磁光非线性光纤萨尼亚克结构的传输矩阵, 可用于分析光纤的双折射、磁光效应和非线性相移, 偏振控制器状态以及整个光纤环总损耗对萨尼亚克透射率的影响。实验研究了萨尼亚克结构磁光调制和非线性光控光开关功能。在0.0177 T磁场作用下, 磁光调制度可达17.05 dB, 理论分析与实验数据吻合。当时钟抽运控制信号的峰值功率为28.2 dBm时, 光控光开关消光比可达25.8 dB, 进一步施加磁场可使开关消光比提升0.7 dB。光控光萨尼亚克结构的磁场响应在一定程度上可以借助偏振控制状态进行等效

  3. 所属分类：其它

  1. 磁光薄膜的干涉增强

  2. 讨论了磁光薄膜的基本特性,并用光学薄膜的设计技术研究了磁光效应的干涉增强。作为例子,文中给出了TbFe膜的一些设计结果。

  3. 所属分类：其它

  1. 激光陀螺中应用的石榴石单晶薄膜磁光材料

  2. 概述了石榴石单晶薄膜磁光材料在激光陀螺中的应用,石榴石磁镜偏频的特性及其与金属磁镜的比较。报导了(BiPrGdYb)3(PeAl)5O12单晶薄膜的生长工艺、磁光性能和石榴石磁镜偏频激光陀螺的试验结果。

  3. 所属分类：其它

  1. 磁光薄膜法拉第旋转角温度特性的实时线性测量

  2. 介绍了一种基于晶体斜劈的偏振光法拉第旋转角的实时线性测量方法,并将该方法用于磁光薄膜温度特性的测量。相比于传统的偏振角度测量方法,晶体斜劈方法不仅不受光源功率波动影响,而且在测量过程中无需调节光学元件,可以实时测量。更重要的是用该方法可以实现任意法拉第旋转角的线性测量，偏振角度测量的相对精度可达到8.7×10-4。将该方法用于测试掺Tb离子的BiYIG磁光薄膜在不同温度下的Verdet常数,研究其温度特性。

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  1. 交变电流调制下磁光材料介电常数对螺线管内部轴向磁场的影响

  2. 基于磁光调制的方位测量系统的关键技术是磁光调制技术，交变电流驱动的含磁光材料螺线管内轴向磁场的精确表达至关重要，但是目前关于磁光材料参数特性对磁场的影响研究甚少。以磁光材料TGG晶体为例，研究了TGG介电常数变化对螺线管内部轴向交变磁场的影响。首先，当螺线管内部磁光材料的介电常数不变时，利用麦克斯韦方程建立正弦波调制下螺线管内部轴向交变磁场模型；然后根据TGG的材料构成，通过分子模拟软件VASP获得TGG的介电常数随调制信号频率变化的函数；最后将此变化函数引入到已经建立的交变磁场模型中，获得TG

  3. 所属分类：其它

  1. 基于磁光光子晶体的石墨烯光吸收增强

  2. 单层石墨烯的吸收率非常低,从而一定程度上限制了其在光电子学领域的应用。基于石墨烯的磁光效应,提出利用磁光光子晶体来增强石墨烯吸收率的方案。利用4×4传输矩阵法研究了相关物理参数对石墨烯吸收率的影响。结果表明:通过调节外加磁场可以有效增强石墨烯的吸收率,石墨烯的吸收特性表现出一定的磁圆二色性;调节外加磁场的磁感应强度和费米能量,可使石墨烯对左旋圆偏振光和右旋圆偏振光均具有较高的吸收率,在一定条件下可实现近完美吸收。研究结果为基于石墨烯的高性能磁圆二色性传感器、光吸收器和光电探测器等新型光电子器件的

  3. 所属分类：其它

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