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搜索资源列表

  1. 磁控电抗MCR型静止式动态无功补偿装置SVC在矿井供电系统中的应用

  2. 磁控电抗MCR型静止式动态无功补偿装置SVC在矿井供电系统中的应用

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2010-05-24
    • 文件大小：270kb
    • 提供者：luohansong155

  1. 磁控电抗器原理及其在SVC中的应用

  2. 磁控电抗器原理及其在SVC中的应用，风电补偿也可以使用该技术的。

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2010-05-24
    • 文件大小：334kb
    • 提供者：luohansong155

  1. 磁控溅射技术

  2. 磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种，等等介绍了磁控溅射技术的发展与原理。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-10-26
    • 文件大小：166kb
    • 提供者：yutianhecheng

  1. BKB-Y/II 型磁控电抗补偿控制器 说明书

  2. 磁控电抗器控制说明，体现了控制原理，接线等资料

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2014-06-29
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：qq_17030837

  1. PVD磁控溅射镀膜工艺理论

  2. PVD磁控溅射镀膜工艺理论

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2017-07-19
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：baidu_39548464

  1. 磁控电抗器无功补偿系统在煤矿中的应用

  2. 磁阀式可控电抗器应用于煤矿系统无功补偿有着独特的优势,文章介绍了磁阀式可控电抗器的工作原理,并在电磁分析的基础上得到了其等效数学模型,按照此数学模型在MATLAB上建立仿真模型,仿真结果表明磁控电抗器的补偿效果良好。最后,依据煤矿现场情况,提出煤矿无功补偿系统实际构成的相关注意事项。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-10
    • 文件大小：410kb
    • 提供者：weixin_38632046

  1. CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响

  2. CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响，霍晓旭，莫晓亮，利用射频磁控溅射方法，以SnO2:F(FTO)为基底制备CdTe薄膜。然后对制备的CdTe薄膜进行湿法CdCl2热处理，退火温度在340 ℃至420 ℃的范围内，�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：725kb
    • 提供者：weixin_38720461

  1. 一种基于磁控旋转电弧传感器的焊缝偏差预测方法

  2. 一种基于磁控旋转电弧传感器的焊缝偏差预测方法，洪波，阳佳旺，针对磁控摆动电弧扫描焊缝获取有用信息量少的问题，提出了一种基于磁控旋转电弧传感器的焊缝偏差预测方法。文中简述了磁控旋转电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-01
    • 文件大小：298kb
    • 提供者：weixin_38612139

  1. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管

  2. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：316kb
    • 提供者：weixin_38559727

  1. 一种基于ANSYS的磁控电弧焊缝跟踪传感器热-磁耦合分析方法

  2. 一种基于ANSYS的磁控电弧焊缝跟踪传感器热-磁耦合分析方法，洪波，何荣拓，为了研究磁控电弧焊缝跟踪传感器工作过程中温度对磁性能的影响，提出了一种基于ANSYS的磁控电弧焊缝跟踪传感器热-磁耦合分析方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-20
    • 文件大小：655kb
    • 提供者：weixin_38584731

  1. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响

  2. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响，王彬，赵子文，利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜，生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-19
    • 文件大小：379kb
    • 提供者：weixin_38629449

  1. 溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响

  2. 溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响，文斌，刘超前，本文基于脉冲直流磁控溅射技术，利用自制单一Cu2ZnSnS4 (CZTS)陶瓷靶材于室温下在普通纳钙玻璃上沉积了CZTS薄膜，主要研究了沉积过程中�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：891kb
    • 提供者：weixin_38747946

  1. 射频磁控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质

  2. 射频磁控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质，农剑，徐华蕊，以Li0.33La0.56TiO3（LLTO）与Li7La3Zr2O12（LLZO）粉末靶材为溅射源，用射频磁控共溅射的方法制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质。在室温条件下，其离�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-11
    • 文件大小：360kb
    • 提供者：weixin_38699726

  1. 埋弧焊磁控电弧焊缝跟踪系统中传感器磁场的ANSYS模拟

  2. 埋弧焊磁控电弧焊缝跟踪系统中传感器磁场的ANSYS模拟，洪波，马金海，针对埋弧焊磁控电弧焊缝跟踪系统中磁控电弧传感器产生的外加横向磁场，本文采用有限元分析方法建立了由磁控电弧传感器产生的横向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-07
    • 文件大小：608kb
    • 提供者：weixin_38670186

  1. 射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜过程中迟滞效应的消除

  2. 射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜过程中迟滞效应的消除，赵以德，，反应磁控溅射过程中的迟滞效应是限制它的应用发展的主要问题之一。本文在分析Berg模型的基础上，仿真模拟了Al_2O_3薄膜反应溅射过程�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：434kb
    • 提供者：weixin_38581447

  1. 磁控形状记忆合金Ni2MnGa材料的解析模型及实验特性

  2. 磁控形状记忆合金Ni2MnGa材料的解析模型及实验特性，张庆新，王凤翔，系统的阐述了磁控形状记忆合金（Magnetically Controlled Shape Memory Alloy 简称MSMA）的微结构、相变机理和形状记忆效应。利用自行设计的实验�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-04
    • 文件大小：275kb
    • 提供者：weixin_38639089

  1. 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜

  2. 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜，张彦彬，肖井华，利用磁控溅射方法制备了纳米级厚度的银膜，同时使用原子力显微镜和扫描电子显微镜方法对薄膜的微结构进行了测试分析。测试结果表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-02
    • 文件大小：720kb
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

  2. 直流磁控溅射制备超导TiN薄膜，陈志平，曹春海，在室温下，采用直流磁控溅射在高阻硅上生长了TiN薄膜，分别设定溅射功率、溅射气压以及N2和Ar的气体流量比为单一变量，获得了不同�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-29
    • 文件大小：627kb
    • 提供者：weixin_38550334

  1. 磁控溅射薄膜附着性能的影响因素

  2. 磁控溅射薄膜附着性能的影响因素，宋文龙，邓建新，磁控溅射薄膜技术应用日趋广泛，其中溅射薄膜的附着性是制约薄膜性能和使用的关键因素。结合作者已有研究，参考国内外现有的资料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-26
    • 文件大小：340kb
    • 提供者：weixin_38742453

  1. 直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射

  2. 直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射，牟宗信，贾莉，发表了直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射模式的现象和机制分析。常规圆形平面磁控靶与同轴线圈构成非平衡磁控溅射靶，同轴线圈

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-18
    • 文件大小：359kb
    • 提供者：weixin_38660813
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