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搜索资源列表

  1. 磁控溅射技术

  2. 磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种，等等介绍了磁控溅射技术的发展与原理。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-10-26
    • 文件大小：166kb
    • 提供者：yutianhecheng

  1. PVD磁控溅射镀膜工艺理论

  2. PVD磁控溅射镀膜工艺理论

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2017-07-19
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：baidu_39548464

  1. CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响

  2. CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响，霍晓旭，莫晓亮，利用射频磁控溅射方法，以SnO2:F(FTO)为基底制备CdTe薄膜。然后对制备的CdTe薄膜进行湿法CdCl2热处理，退火温度在340 ℃至420 ℃的范围内，�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：725kb
    • 提供者：weixin_38720461

  1. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管

  2. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：316kb
    • 提供者：weixin_38559727

  1. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响

  2. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响，王彬，赵子文，利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜，生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-19
    • 文件大小：379kb
    • 提供者：weixin_38629449

  1. 溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响

  2. 溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响，文斌，刘超前，本文基于脉冲直流磁控溅射技术，利用自制单一Cu2ZnSnS4 (CZTS)陶瓷靶材于室温下在普通纳钙玻璃上沉积了CZTS薄膜，主要研究了沉积过程中�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：891kb
    • 提供者：weixin_38747946

  1. 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜

  2. 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜，张彦彬，肖井华，利用磁控溅射方法制备了纳米级厚度的银膜，同时使用原子力显微镜和扫描电子显微镜方法对薄膜的微结构进行了测试分析。测试结果表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-02
    • 文件大小：720kb
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

  2. 直流磁控溅射制备超导TiN薄膜，陈志平，曹春海，在室温下，采用直流磁控溅射在高阻硅上生长了TiN薄膜，分别设定溅射功率、溅射气压以及N2和Ar的气体流量比为单一变量，获得了不同�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-29
    • 文件大小：627kb
    • 提供者：weixin_38550334

  1. 磁控溅射薄膜附着性能的影响因素

  2. 磁控溅射薄膜附着性能的影响因素，宋文龙，邓建新，磁控溅射薄膜技术应用日趋广泛，其中溅射薄膜的附着性是制约薄膜性能和使用的关键因素。结合作者已有研究，参考国内外现有的资料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-26
    • 文件大小：340kb
    • 提供者：weixin_38742453

  1. 直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射

  2. 直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射，牟宗信，贾莉，发表了直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射模式的现象和机制分析。常规圆形平面磁控靶与同轴线圈构成非平衡磁控溅射靶，同轴线圈

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-18
    • 文件大小：359kb
    • 提供者：weixin_38660813

  1. 基底温度对一步脉冲直流磁控溅射沉积的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响

  2. 基底温度对一步脉冲直流磁控溅射沉积的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响，刘超前，文斌，磁控溅射单一Cu2ZnSnS4 (CZTS)陶瓷靶材是一种非常具有应用前景的CZTS薄膜制备方法。本文基于自制CZTS陶瓷靶材，利用直流脉冲磁控溅射技术

  3. 所属分类：其它

  1. 磁控溅射启辉电压波动和机理

  2. 磁控溅射启辉电压波动和机理，牟宗信，邓新绿，磁控溅射沉积技术被广泛应用于沉积各种功能薄膜。深入研究其放电特性对控制沉积过程有重要意义。在磁控靶表面，和电场正交的磁场

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-30
    • 文件大小：339kb
    • 提供者：weixin_38734269

  1. 磁控溅射技术新进展及应用

  2. 磁控溅射相关方面的论文，有需要的可以学下载！！与大家共享

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-04-22
    • 文件大小：181kb
    • 提供者：gq823966637

  1. 用于陶瓷，金属材料的（直流，射频）磁控溅射操作步骤

  2. 磁控溅射 各种形式的设备 各种材料镀膜设备

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-19
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：shcet

  1. 反应磁控溅射方法制备BCN薄膜的高温抗氧化性

  2. 为了考察BCN薄膜的高温抗氧化,用反应磁控溅射方法在高速钢基体上制备了BCN硬质薄膜材料,用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和显微硬度计等方法研究了BCN薄膜的高温抗氧化行为。结果表明:BCN薄膜在500℃以下具有较好的抗氧化性能,氧化温度高于600℃,薄膜被严重氧化,薄膜中C含量的增加使薄膜的高温抗氧化性能降低。分析认为,薄膜在500℃以下氧化时,氧气在薄膜内的扩散比较困难,薄膜不易被氧化;当氧化温度高于600℃时,由于薄

  3. 所属分类：其它

  1. 大平面玻璃基片磁控溅射真空镀膜简介

  2. 大平面玻璃基片磁控溅射真空镀膜简介.....

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-07-06
    • 文件大小：280kb
    • 提供者：zwb1111111

  1. 直流磁控溅射法制备γ-Al2O3薄膜的介电特性

  2. 高密度储能电容器是当前研究的热点,为探究氧化铝薄膜在高密度电容器中潜在的应用,采用直流磁控溅射方法制备了氧化铝薄膜,薄膜质地均匀致密,表面平整光滑。X射线衍射谱分析表明制备的薄膜属于γ晶型的氧化铝。薄膜具有优良的介电性能,氧化铝薄膜电容器理论储能密度约为7.6 J/cm~3。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-09
    • 文件大小：802kb
    • 提供者：weixin_38688890

  1. 安防与监控中的应用于磁控溅射镀膜生产线的计算机监控系统的设计

  2. 摘  要：本文介绍了一种成功应用的磁控溅射镀膜生产线计算机监控系统的设计，重点讨论了计算机监控系统的硬件配置、软件设计、通信协议、控制过程实现以及软件编程的控制算法。 　　肇庆市大力真空设备有限公司生产的DJW（L）系列卧式（立式）磁控溅射镀膜生产线采用DC电源或中频电源控制平面靶、圆柱旋转靶或中频孪生靶在工件上溅射成膜，广泛应用于各种建筑玻璃、ITO透明导电玻璃、家电玻璃、高反射后视镜及亚克力镀膜等行业。 　　清华微电子推出高频管分立器件裸片，已做到9G截止频率 该系列生产线在吸收欧洲同

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：180kb
    • 提供者：weixin_38677505

  1. 直流React磁控溅射合成Cd取代ZnO（Zn1-xCdxO）薄膜的结构和光学性能

  2. 直流React磁控溅射合成Cd取代ZnO（Zn1-xCdxO）薄膜的结构和光学性能

  3. 所属分类：其它

  1. 沉积压力对射频磁控溅射制备的IGZO薄膜光学和电学性质的影响

  2. 沉积压力对射频磁控溅射制备的IGZO薄膜光学和电学性质的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：883kb
    • 提供者：weixin_38700409
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