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搜索资源列表

  1. 离子注入技术在试制E_D型MOS集成电路中的应用

  2. 离子注入技术在试制E_D型MOS集成电路中的应用 ，挺稀缺的资源

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-05-12
    • 文件大小：346kb
    • 提供者：niuyanhua813

  1. 离子注入的原理与应用

  2. 离子注入的原理与应用，有关半导体技术的应用领域

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-06-21
    • 文件大小：310kb
    • 提供者：jsntydx

  1. 离子注入工艺各个参数

  2. 本文以美国EA TON 公司的中束流注入机为例, 阐述了 IC 芯片生产过程中离子注入 工艺如何实现高质量注入; 标准注入参数的调整, 以及实现高速注入所应采取的各种手段, 尽量发 挥离子注入机的潜能, 使中束流注入机也可以注入大束流, 在生产上实现高速机动, 加快了工艺流

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-12-14
    • 文件大小：156kb
    • 提供者：zhaoxianbo999

  1. 离子注入相关概念及过程

  2. 离子注入PPT解析，离子注入过程、射程分布、剂量等、反冲注入

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-03-16
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：zxl100889

  1. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

  2. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响，苏海桥，薛书文，利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜，将能量80keV，剂量1×1017ions/cm2的Ti离子注入到薄膜中，并将注入后的ZnS薄膜进行退火处�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：505kb
    • 提供者：weixin_38548704

  1. Mo离子注入和离子渗硫对TiN涂层微观结构和表面性能的影响

  2. Mo离子注入和离子渗硫对TiN涂层微观结构和表面性能的影响，王成彪，田斌，在物理气相沉积的TiN涂层表面进行剂量为1E18离子/cm2的Mo离子注入，接着采用低温离子渗流技术对Mo离子注入改性后的TiN涂层进行表面后处

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-23
    • 文件大小：688kb
    • 提供者：weixin_38567962

  1. He离子注入对Cu/Cr和Cu/Nb纳米金属多层膜力学性能的影响

  2. He离子注入对Cu/Cr和Cu/Nb纳米金属多层膜力学性能的影响，朱望波，牛佳佳，Cu/Nb, Cu/Cr纳米金属多层膜具有多界面性和良好的力学性能，能够有效的阻挡入射的辐照离子，并在辐照后保持良好的力学性能。本文中，

  3. 所属分类：其它

  1. 铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀

  2. 铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀，王磊，项炳锡，采用MeV铜离子注入的方法注入铌酸锂单晶样品，研究了铜离子注入铌酸锂的增强刻蚀特性。利用湿法刻蚀、金相显微镜、扫描电子显微镜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-08
    • 文件大小：358kb
    • 提供者：weixin_38750644

  1. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

  2. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响 ，苏海桥， 薛书文，利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜，将能量80keV，剂量1×1017ions/cm2的Ti离子注入到薄膜中，并将注入后的ZnS薄膜进行退火处�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：523kb
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝生长速度的影响

  2. 脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝生长速度的影响，严涛，曾宪贤，以猴头菌丝体为实验材料，通过分析N+离子注入后菌丝体的生长速度，研究脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝体的影响。结果表明：脉冲时�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-18
    • 文件大小：288kb
    • 提供者：weixin_38608726

  1. 同等剂量W、Mo离子注入对氮化钛涂层表面性能的影响

  2. 同等剂量W、Mo离子注入对氮化钛涂层表面性能的影响，王成彪，田斌，为了进一步改善氮化钛涂层的摩擦学性能，利用金属蒸汽真空弧源(MEVVA)在TiN涂层表面进行等剂量W、Mo离子的注入。采用扫描俄歇系统、�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-09
    • 文件大小：758kb
    • 提供者：weixin_38673235

  1. Ti6Al4V合金氧离子注入样品表面形貌

  2. Ti6Al4V合金氧离子注入样品表面形貌，李金龙，马欣新，采用等离子体基离子注氧技术（O-PBII）对Ti6Al4V合金进行了表面改性处理，试验过程中注入负脉冲电压分别为10、20、30、40和50kV，离子注�

  3. 所属分类：其它

  1. MeV氧离子注入镁掺杂近化学剂量比铌酸锂制备平面光波导

  2. MeV氧离子注入镁掺杂近化学剂量比铌酸锂制备平面光波导，王磊，项炳锡，采用不同剂量的4.5MeV的氧离子注入镁掺杂近化学计量比铌酸锂形成平面光波导. 利用棱镜耦合方法和卢瑟福背散射/沟道技术测量波导暗模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：576kb
    • 提供者：weixin_38718223

  1. 离子注入与飞秒激光刻蚀相结合制备的Nd:YAG陶瓷脊型波导激光

  2. 离子注入与飞秒激光刻蚀相结合制备的Nd:YAG陶瓷脊型波导激光，贾曰辰，陈峰，我们报道了用氦离子注入和飞秒激光刻蚀技术制备Nd:YAG陶瓷脊型光波导的方法。在室温下，实现了用波长为808 nm激光泵浦的1064 nm连续波�

  3. 所属分类：其它

  1. SRIM2011 离子注入

  2. SRIM2011 离子注入模拟器，半导体行业可以下

  3. 所属分类：IT管理

    • 发布日期：2012-05-29
    • 文件大小：63mb
    • 提供者：ftgrams

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺---第六章离子注入

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺---第六章离子注入 6.1 概述 6.2离子注入原理 6.3注入离子在靶中的分布 6.4注入损伤 6.5退火 6.6离子注入设备与工艺 6.7离子注入的其它应用

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：zhifj86

  1. 离子注入技术的发展趋势及典型应用

  2. 简述了离子注入技术的发展趋势及典型应用，并简要分析了该领域的技术发展方向。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：197kb
    • 提供者：weixin_38677255

  1. 基础电子中的半导体VCSEL离子注入型

  2. 离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中，从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入，与晶体内的电子和原子核发生碰撞，产生晶格空位，并通过自由载流子的补偿在周围形成高阻区，这样就可以使注入电流集中注入到有源区内，如图所示。 　　离子注入的能量是由离子的质量和注入深度要求所决定的。H＋，0＋，N＋和F＋都可以作为注入离子，其中应用最广泛的还是H＋。为了避免对有源区有过多的损伤，离子注入的深度一般都略高于量子阱的位置。 　　图所示的是一个详细

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：107kb
    • 提供者：weixin_38604916

  1. 离子注入

  2. 离子注入是另一种掺杂技术，离子注入掺杂也分为两个步骤：离子注入和退火再分布。离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面，在掺杂窗口处，杂质离子被注入硅本体，在其他部位，杂质离子被硅表面的保护层屏蔽，完成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子在一定的位置形成一定的分布。通常，离子注入的深度(平均射程)较浅且浓度较大，必须重新使它们再分布。掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定。 同时，由于高能粒子的撞击，导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复晶格

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38746574

  1. 离子注入技术在IC制造中的应用

  2. 随着离子注入技术的发展，它的应用也越来越广泛，尤其是在集成电路中的应用发展最快。由于离子注入技术具有很好可控性和重复性，这样设计者就可根据电路或器件参数的要求，设计出理想的杂质分布，并用离子注入技术实现这种分布。 离子注入技术在IC制造中的应用 1) 对MOS晶体管阈值电压的控制 2)自对准金属栅结构 3)离子注入在CMOS结构中的应用   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：24kb
    • 提供者：weixin_38730821
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