硫超掺杂硅通常通过硫离子注入和纳秒激光制备退火。它具有光滑的表面和30％的低子带隙吸收率。在这里，我们报道硅晶片的表面在经过上述两个过程处理之前已经化学纹理化，这大大提高了超掺杂硅在子带隙波长下的光吸收率从30％增至70％，从65％增至70％。可见光波长的80％用于形成的圆顶结构的抗反射特性。因此，表面纹理Craft.io将是基于硫超掺杂硅材料进行器件开发的必要步骤。

近年来，激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状，这种工艺过程对于辐射损伤无定形硅重结晶的重要性以及在半导体物理中的应用前景。

为了得到实用廉价的太阳能电池，光生伏打工业必须降低制造成本，提高产品率。一种解决办法是使用激光，使加工和退火一步完成。普通硅太阳能电池的制造是用离子注入形成”结，然后用高温炉退火消除晶格损伤,以恢复注入层的电活性。这是一种昂贵、耗能而费时的工艺。与高温炉半小时的退火时间相比，激光退火只需1微秒。更重要的是，激光加工对以取消昂贵的离子注入工序。激光能溶化表面层，驱动液相或汽相掺杂进入晶片或基片的晶格,形成p-n结，并对晶格的损伤退火。所有这些都一步完成。

叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用，以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。