利用离子注入技术合成了Ge纳米晶（nc-Ge）嵌入的SiO2纳米复合薄膜。 可以通过改变锗离子注入过程中的注入能量和剂量来调整nc-Ge在SiO2基体中的分布曲线。 因此，可以设计nc-Ge / SiO2纳米复合薄膜的有效介电常数。 纳米复合薄膜的有效金属氧化物半导体导通（MOS）电容已使用子层模型和Maxwell-Garnett有效介质近似值进行了计算，并考虑了与nc-Ge纳米尺寸相对应的降低的介电常数。 另一方面，已经对基于nc-Ge / SiO 2薄膜的MOS结构进行了电容电压测量，以通过

本文用卢瑟福背散射和光吸收技术研究了高剂量Ag离子注入SiO_2玻璃以及退火后的状况.吸收光谱测量表明,注入的Ag离子聚集形成了胶态粒子,其等离子共振峰的极大值在400nm处.运用米(Mie)理论和德拜(Doyle)方法,根据测得的等离子共振峰的光宽度,估算出Ag胶态粒子的半径约为18(?).