该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层，8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层，制备了结构为ITO/PVK(0~60 nm)/Alq3(60 nm)/Mg:Ag/Al

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层，8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层，制备了结构为ITO/PVK(0~60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流–电压–发光亮度特性，研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响。

基于铜酞菁（CuPc）（空穴注入层），N，N'-双（1-萘基）-N，N'-联苯-1,1'-联苯-制成有机发光二极管（OLED）。 4,4'-二胺（NPB）（空穴传输层）和三（8-羟基喹啉）铝（Alq（3））（发射和电子传输层）。 在CuPc和NPB之间插入一个2-（4-联苯基）-5（4-叔丁基-苯基）-1,3,4-恶二唑（PBD）层。 研究了不同厚度的PBD层对器件性能的影响。 器件结构为ITO / CuPc / PBD / NPB / Alq（3）/ LiF / Al。 与没有PBD层的设备相

通过在有机发光二极管（OLED）的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDATA(d nm)/NPB(40-d nm)/Alq3(70 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(40 nm)、ITO/ MoO3 (15 nm)/NPB(25 nm)/Alq3 (70 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(40 nm)结构的器件，研究不同m-MTDATA厚度对OLED发光亮度、电流密度、电流效率等性能的影响。实验发现，当缓冲层的厚度