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  1. SiC紫外探测器的模拟与分析

  2. 非常详细的讲述了SiC紫外探测器的模拟与分析，适合初学者学习和研究，讲述的很通俗详细。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-05-25
    • 文件大小：657kb
    • 提供者：ziliuli1991

  1. 用光声光谱法测量紫外光探测器的光谱响应

  2. 用光声光谱法测量紫外光探测器的光谱响应，罗泽鹏，黄佐华，基于光声光谱技术，以自制的高灵敏度光声探测器为标准探测器，建立一套紫外光探测器的光谱响应测量系统，较准确地测定了两种紫外

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：296kb
    • 提供者：weixin_38517904

  1. 超快速高灵敏度径向结-钙钛矿量子点混合型日盲紫外探测器

  2. 超快速高灵敏度径向结-钙钛矿量子点混合型日盲紫外探测器 ，陆嘉文，盛雪曦，本文探索了一种新颖高效的无机铯系钙钛矿量子点(Inorganic perovskiteCsPbX3, IPQDs)与硅纳米线径向结（Silicon Nanowire Radial p-i-n Junction）杂化薄�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：739kb
    • 提供者：weixin_38618746

  1. Vernier阳极探测器及其电子读出电路的设计

  2. 本课题组对极紫外成像探测系统进行了技术研究，并在阳极设计和电路信号处理方面取得了较好的成绩。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：220kb
    • 提供者：weixin_38558659

  1. 显示/光电技术中的紫外（UV）光探测器

  2. 在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰发射的光比2 000 K温度下的背景辐射（例如黑体辐射）要强得多。通常在波长肛250～400 nm的紫外光谱范围内，火焰的光发射要远远大于来自背景的热辐射。 　　硅基光电二极管在紫外光谱范围内一般来说量子效率偏低，然而，从成本、速度及信噪比等角度考虑，迫切需要将探测器和电子电路在硅基工艺下单片集成。目前已采用双极工艺实现了如图1所示结构的集成UV传感器［41］。浅P卜和N＋注入区形成的耗尽区非常接近芯片表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：71kb
    • 提供者：weixin_38686267

  1. 显示/光电技术中的GaN PIN光电探测器结构

  2. 为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏压下或者零偏压下工作[12]。在PIN结构中，本征层起到了至关重要的作用，其厚度需要认真优化，因为它既影响了效率又影响了器件速度。图3－25是一种常见的GaN ΠN光电探测器结构四，首先在600°C下淀积⒛nm厚的低压缓冲层到蓝宝石称底，接

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：weixin_38663443

  1. 显示/光电技术中的GaN基肖特基结构紫外光电探测器

  2. GaN光电导型探测器的最大缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。第一支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，最后再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触，图中Ti/Au为肖特基接触，Cr/Au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13A/W，响应时间大约为1uS，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38505158

  1. Al纳米粒子的偶极子表面等离子共振增强了基于AlGaN的深紫外探测器的响应度

  2. Al纳米粒子的偶极子表面等离子共振增强了基于AlGaN的深紫外探测器的响应度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：206kb
    • 提供者：weixin_38519082

  1. 基于TiO2 / ZnO异质结的高性能紫外探测器

  2. 基于TiO2 / ZnO异质结的高性能紫外探测器

  3. 所属分类：其它

  1. CHANG E着陆器上用于EUV相机的弯曲焦平面极紫外探测器阵列

  2. CHANG E着陆器上用于EUV相机的弯曲焦平面极紫外探测器阵列

  3. 所属分类：其它

  1. 4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析

  2. 用MEDICI软件对金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外(UV)探测器的I-V特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10-13 A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级; 探测器的光谱响应范围为200～400 nm,在347 nm处响应度达到极大值; 增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度; 当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而

  3. 所属分类：其它

  1. AlGaN日盲型光电探测器的光谱响应测试

  2. AlGaN具有宽的直接禁带，非常适合于制作紫外探测器。通过改变组份，AlGaN的禁带宽度可从3.4 eV(GaN) -6.2 eV(AlN),其截止波长可从365 nm(GaN)~200 nm(AlN)。与传统的硅探测器相比，AlGaN探测器具有日盲、紫外区高量子效率、低暗电流/低噪声等优点；与SiC相比，AlGaN具有吸收系数大、截止波长锐利、响应速度快、异质结易实现、响应波段可调等优点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：997kb
    • 提供者：weixin_38552871

  1. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质

  2. 采用射频磁控溅射在石英衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜,利用蚀刻技术制备了MSM结构的光导型紫外探测器。在3V偏压下,器件的暗电流小于250nA,光响应峰值在370nm,响应度是0.34A/W。其紫外(360nm)与可见光(420nm)的抑制比为4个数量级。器件的光响应时间上沿仅为20ns。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：265kb
    • 提供者：weixin_38669881

  1. 高质量的ZnO基薄膜的受控生长以及可见光和太阳光紫外探测器的制造

  2. 高质量的ZnO基薄膜的受控生长以及可见光和太阳光紫外探测器的制造

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：499kb
    • 提供者：weixin_38502239

  1. 基于ECPR的紫外探测器绝对光谱响应测试系统

  2. 在研制电定标热释电辐射计(electrically calibrated pyroelectric radiometer,ECPR)的基础上,设计和研制了紫外探测器绝对光谱响应测试系统.系统由紫外光源、光栅单色仪、移动探测器平台、弱信号检测仪器以及计算机和软件组成.测试采用参考探测器和待测探测器的光谱响应度比较的方法完成,能够直接获得紫外探测器绝对光谱响应.整个系统具有自动化和操作方便以及精度高的特点,为紫外光谱绝对测量提供了一种解决方案.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：682kb
    • 提供者：weixin_38506103

  1. ZnO薄膜紫外探测器的光电性质

  2. 采用直流反应磁控溅射的方法制备ZnO薄膜, 用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光谱仪(UV-Vis)分别表征ZnO薄膜的晶体结构和表面形貌等特征。并用此材料制备Au/ZnO/Au金属-半导体-金属(MSM)结构光电导型ZnO薄膜紫外光探测器。实验结果表明, ZnO探测器在360 nm出现明显光响应,其光电流为2.5 mA, 在5 V偏置电压下暗电流为250 μA; ZnO紫外探测器在250～380 nm的紫外波段, 探测器有很明显的光响应, 且光电流响应比较平坦; 在380

  3. 所属分类：其它

  1. 一种紫外焦平面探测器电流响应率测试方法

  2. 电流响应率是紫外探测器的重要特性参数, 光敏芯片与读出电路芯片耦合成焦平面组件后, 不能通过测试焦平面组件直接得到电流响应率参数。对128×1 电容反馈互阻抗放大器(CTIA)读出电路芯片进行了系统的测试, 得到了读出电路的积分电容、源随器增益。同时, 采用自研的紫外探测器高精度定标测试系统, 分别对128×1铝镓氮(AlGaN)紫外探测器光敏芯片、128×1紫外焦平面探测器组件进行测试, 求得了从焦平面探测器推算电流响应率的方法。结果表明, 直接标定光敏芯片的电流响应率与测试焦平面组件间接推算

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：916kb
    • 提供者：weixin_38675969

  1. 锂铝硅磷酸盐玻璃的紫外透射性能与玻璃结构

  2. 石英玻璃因为其紫外(UV)透射性能较好，常被用来作为紫外探测器的窗口材料。但是它的热膨胀系数较小，如果和其他材料直接封接，就会产生内应力，从而对材料造成损伤。为此，以SiO2、P2O5、Al2O3、Li2O作为组分，制备紫外透射性能好(波长200 nm处，最高达到56%)、热膨胀系数高，同时具有较好稳定性的透紫外玻璃。利用固体核磁共振(MAS-NMR)、红外光谱(FTIR)对玻璃的局部结构进行表征和研究。结果表明，玻璃中的硅原子处于4配位状态；磷原子开始是3配位态，随着Al2O3含量的增加，磷氧

  3. 所属分类：其它

  1. 金属-半导体-金属结构AlGaN/GaN异质结紫外探测器技术及特性

  2. 制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围，光谱响应的峰值响应率分别为288 nm处0.717 A/W 和366 nm处0.641 A/W，峰值处的量子效率分别为288 nm处308% 和366 nm处217%。

  3. 所属分类：其它

  1. 极紫外光子计数成像探测器采集电路的研制

  2. 为了使极紫外光子计数成像探测器能够高速采集数据并显示光子位置信息，研制了一款数据采集电路系统。分析了基于感应电荷楔条形位置灵敏阳极光子计数成像探测器的成像原理，选用符合性能要求的模数(A/D)转换芯片，在现场可编程门阵列(FPGA)主控芯片的控制下对去除峰值保持电路模块的模拟信号进行采样和转换。FPGA将接收到的数字信号处理以后通过USB 数据传输系统发送给计算机，上位机软件再进行解包、计算和成像等工作，将光子的位置图像显示出来。最后对所成图像的线性度和分辨率进行鉴定。实验结果表明，该电路系统具

  3. 所属分类：其它

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