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  1. 红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术

  2. 通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连，提高像元占空比，缩短了互连引线长度，降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔，利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔，实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：362kb
    • 提供者：weixin_38626242