采用改进的Lee-Low-Pines变分方法研究纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱材料中磁极化子能级，给出纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中磁极化子基态能量随阱宽L和外磁场强度B的变化关系以及跃迁能量和回旋频率随磁场强度变化的函数关系。计算中考虑了纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中光学声子模的各向异性和电子与光学声子之间的相互作用。为了定量分析和对比,还给出了闪锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中磁极化子能量和回旋频率的相应值。

基于有效质量近似，通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿（WZ）GaN / AlGaN量子阱（QW）中氢杂质的施主结合能的影响。 数值结果表明，随着WZ GaN / AlGaN QW势垒宽度的增加，阱层内部的内置电场强度增加，然后保持恒定。 而且，对于任何杂质情况，在具有较大势垒宽度的QW中，供体结合能对势垒宽度的变化都不敏感。 另外，还可以发现，当Al组成增加时，对于位于QW的右侧内部的杂质，施主结合能增加。 但是，对于位于QW中心和左侧的杂质，供体的结合能会略有下降。