基于有效质量近似，通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿（WZ）GaN / AlGaN量子阱（QW）中氢杂质的施主结合能的影响。 数值结果表明，随着WZ GaN / AlGaN QW势垒宽度的增加，阱层内部的内置电场强度增加，然后保持恒定。 而且，对于任何杂质情况，在具有较大势垒宽度的QW中，供体结合能对势垒宽度的变化都不敏感。 另外，还可以发现，当Al组成增加时，对于位于QW的右侧内部的杂质，施主结合能增加。 但是，对于位于QW中心和左侧的杂质，供体的结合能会略有下降。