纳米多KongInGaN / GaN多量子阱（MQW）是通过快速热退火（RTA）和电感耦合等离子体（ICP）干蚀刻Craft.io使用自组装的Ni纳米多Kong掩模制成的。 与生长中的平面InGaN / GaN MQW相比，纳米多KongInGaN / GaN MQW的内部量子效率和光提取效率均得到提高，这可以从光致发光（PL）测量得出结论。 纳米多Kong结构的热活化能（107.44 meV）显着高于温度依赖性PL测量的生长样品（33.02 meV）的热活化能，表明载流子被很好地限制并且位错和