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搜索资源列表

  1. 纳米测试技术的新挑战.pdf

  2. 要想掌握新的组件材料如纳米晶体、纳米管、纳米线和纳米光线在未来电子器件中的行为特征，需要能够在很宽范围内进行电阻和电导率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：369kb
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 利用铜纳米线网络在PDMS弹性体薄膜表面形成褶皱

  2. 利用铜纳米线网络在PDMS弹性体薄膜表面形成褶皱，于荣頔，王琦，近年来柔性电子器件迅速发展，利用柔性材料制备微纳图案成为电子器件制备过程的重要步骤。本论文利用铜纳米线网络在聚二甲基硅氧

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：662kb
    • 提供者：weixin_38524472

  1. 微纳电子器件期末考试复习思考题.docx

  2. 本资源包括微纳电子器件课程的全部课后思考题，包括等比例缩小(Scaling-down)定律、CMOS器件的“Heat death”、MOS中绝缘层减薄带来的负效应、EOT的概念 、“HKMG”、 窄沟道效应 、热载流子（HCE）效应、源漏穿通及次开启抑制措施、 迁移率的退化和漂移速度饱和、小尺寸MOS器件的物理效应对阈值电压的影响、漏工程、沟道工程、栅工程、SOI器件、3D集成、TSV的原理、MCP，3D IC, SIP、SOP、SOC、碳纳米管、引线的电迁移现象等内容，总结非常详细，内容十分

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-07-06
    • 文件大小：11mb
    • 提供者：weixin_41222105

  1. 电源技术中的纳米测量的电流误差来源

  2. 要测量弱电流，就必须理解各种潜在的误差源，这些误差会造成人们所不希望出现的测量误差。影响多种类型的纳米电子器件的测量结果的两种极为常见的误差源是摩擦生电效应和电化学效应（图1）。 　　导体和绝缘体之间的摩擦所产生的电荷将引发所谓的摩擦生电（Triboelectric）电流。摩擦作用从导体上掠走自由电子，从而造成电荷不平衡性，这相应产生了电流，共轴电缆中的绝缘体和导体的相互摩擦作用就是这样的一个例子。误差电流也会由于电化学效应而引起，在这种过程中，离子性的化学物质会在两个导体间形成微弱的电池

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38629939

  1. 咱的纳米器件有几安（A）、伏（V）？

  2. 随着纳米技术日新月异的发展，研究已深入到原子挨原子的分子级，构造具有全新特性的新结构。特别地，纳米电子领域的发展十分迅速，其潜在影响涉及非常宽的行业领域。目前的纳米电子研究的内容主要是如何开发利用碳纳米管、半导体纳米线、分子有机电子和单电子器件。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38595689

  1. 分析系统优化小电流测量

  2. 许多关键应用都需要能够测量小电流的能力——比如pA级或更小。这些应用包括确定FET的栅极漏流、测试敏感的纳米电子器件，以及测量绝缘体或电容的漏流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：241kb
    • 提供者：weixin_38620959

  1. 4200-SCS型半导体特性分析系统优化小电流测量

  2. 许多关键应用都需要能够测量小电流的能力——比如pA级或更小。这些应用包括确定FET的栅极漏流、测试敏感的纳米电子器件，以及测量绝缘体或电容的漏流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：451kb
    • 提供者：weixin_38714637

  1. 解决功率电子器件的热问题

  2. 纽约州立大学Buffalo分校电子封装实验室正在为美国海军开发新型的功率电子封装，在一些极端苛刻的工作条件下（比如在军舰和战机上），它们能够解决大电流密度、高温和大的温度梯度所引起的种种问题。这类功率电子封装还有可能很快进入民用产品。 　　电子封装实验室主任Cemal Basaran解释说：“作为我们为海军提供的功率电子封装的一部分，我们正在设计和测试微米和纳米级的电子封装试验飞行器，它可以在由大电流密度、大功率、高温和不同的负载所带来的极端苛刻条件下仍然保持很高的可靠性。我们对在非常小的尺寸

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38628552

  1. 纳米电子／光电子器件概述

  2. 程开富(中国电子科技集团公司第44研究所，重庆 40060)摘要：本文主要概述了纳米电子／光电子器件的分类，并提出发展纳米电子／光电子器件的几点建议。 关键词：纳米电子学；纳米电子器件；纳米光电子器件中图分类号：TNl5 文献标识码：A1引言纳米技术是一门在0.1~100μm尺度空间内，对电子、原子和分子的运动规律和特性进行研究并加以应用的高科技学科，它的目标是用单原子、分子制造具有特定功能的产品。国内外科技界已普遍认为纳米技术已成为当今研究领域中最富有活力、对未来经济和社会发展有着十分重要的研

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：127kb
    • 提供者：weixin_38694336

  1. 自组装半导体量子点在纳米电子器件中的应用

  2. 孙 捷（中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083）摘要：随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限，具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程。自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有δ函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中。本文按纵向输运器件、横向输运器件的分类扼要评述了该领域的最新进展，并对待解决的问题和发展前景作了分析。 关键词：微电子工艺；量子特性；自组装半导体量子点；纳米电子器件 中图分类号：TN304.01 文献标识码：A 文章编号：100

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：124kb
    • 提供者：weixin_38603259

  1. 纳米电子器件

  2. 纳米电子器件： 利用载流子的各种量子特性，研究纳米（1-1OO纳米）条件下，放大、振荡、信息加工、数字存储等新现象和新规律，以及采用什么新材料、新技术和新工艺，来指导纳米电子器件和纳米电子集成阵列的设计和开发，这就是崭新的纳米电子学。 如果说微电子器件的基本结构是pn结，那么，21世纪的纳米电子器件的基本结构则有待实践解决，而文献［2］认为是：纳米点和隧道结。纳米点系指1-100纳米的金属或半导体粒子，也称量子点或岛。此时器件的物理尺寸与其中的电子自由程可以比拟，将出现介观物理所描述

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：49kb
    • 提供者：weixin_38569569

  1. 碳纳米管及其特性

  2. 碳纳米管及其特性： 微电子器件的基本材料是硅，下一代纳米电子器件的材料是什么？有人认为是有机／无机复合材料。但进一步具体地说，目前还不清楚。碳纳米管及其衍生物可能是有希望的材料。 碳纳米管是日本学者饭岛（Iijima）在1991年发现的，是碳异构体家族中的一个新成员，它被看成是由层状结构的石墨片卷成的无缝空心管，有多层的，也有单层的，其直径约在1纳米至几十纳米之间；由于卷的角度和直径不同，会出现不同的结构，左螺旋的、右螺旋的、不存在螺旋的；结构不同，导电特性亦不同，有的是金属性的、有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：26kb
    • 提供者：weixin_38700240

  1. 溅射法制备纳米薄膜材料及进展

  2. 贾 嘉（中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083）摘要：溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点，成为获得高性能纳米材料的重要手段。本文介绍了离子束溅射和磁控溅射技术的基本原理、方法及其在制备纳米材料中的应用和优点，以国内外这方面的最新进展。文章最后对我国纳米材料今后的应用及发展前景进行了展望。 关键词：溅射法；纳米薄膜；材料制备 中图分类号：O484.1 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2004)07-0070-041 引言 微电子器件发展的小型化趋势引导

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：114kb
    • 提供者：weixin_38693967

  1. Qcodes:模块化数据采集框架-源码

  2. 质量标准 QCoDeS是由哥本哈根/代尔夫特/悉尼/微软量子计算联盟开发的基于Python的数据采集框架。尽管已经开发了它以满足纳米电子器件实验的需要，但它并不固有地限于此类实验，并且可以在计算机可以控制具有许多自由度的系统的任何地方使用。要了解有关QCoDeS的更多信息，请浏览我们的。 要了解QCoDeS，请阅读 ，和/或浏览的Jupyter笔记本。 QCoDeS与Python 3.7+兼容。它主要用于Jupyter笔记本电脑，但也可以在传统的基于终端的外壳程序中使用，也可以在独立脚本

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：14mb
    • 提供者：weixin_42168341

  1. 锗基纳米电子器件界面工程中的氟化石墨烯

  2. 锗基纳米电子器件界面工程中的氟化石墨烯

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：640kb
    • 提供者：weixin_38534444

  1. 厚度对碳纳米管复合阴极场发射性能的影响

  2. 尽管低功函数材料已被广泛用于涂覆碳纳米管（CNT）阴极以改善场发射性能，但除少数实例报道了一些相互矛盾的观察结果外，很少有关于涂层厚度影响的报道。 因此，在本文中，我们采用低功函数的LiF / Al材料涂覆CNT阴极，从而能够精确控制涂覆膜的厚度，并系统地研究了膜厚度对CNT复合材料场致发射器件场致发射性能的影响。 （FED）。 观察到了场发射性能与阴极膜厚度之间的非单调关系，并且对于Al层厚度为1 nm的CNT复合阴极，最先进的性能得到了最佳证明。 根据实验数据和分析，发现非单调趋势与厚度依赖

  3. 所属分类：其它

  1. 锗基纳米电子器件界面工程中的氟化石墨烯”，高级功能材料

  2. 锗基纳米电子器件界面工程中的氟化石墨烯”，高级功能材料

  3. 所属分类：其它

  1. 在还原的氧化石墨烯电极上直接生长的单壁碳纳米管制造的全碳电子器件

  2. （显示的图）开发了一种制造所有碳CNT-rCO器件的简单方法，其中单个长排列的SWCNT通过CVD直接生长，以与被非金属物体刮擦的rGO电极连接。 ？ 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH＆Co. KGaA，魏因海姆。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：371kb
    • 提供者：weixin_38617604

  1. 基于原子力显微镜的碳纳米管焊接

  2. 在利用碳纳米管(CNT)制作纳米电子器件时，碳纳米管与金属电极的接触特性将决定器件性能．为此本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)进行碳纳米管焊接的新方法．仿真研究了探针电场的强度与分布，解释了焊接中电场产生的机理，进一步分析了偏压、探针一样品距离与探针悬臂梁偏转位移之间的关系；并通过这些优选的相关实验参数进行了焊接实验验证．实验结果表明，碳纳米管与电极间的接触电阻由2．86×10。n减小至7．14×10 n，并可实现碳纳米管在电极上的良好固定．

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：337kb
    • 提供者：weixin_38643401

  1. 飞秒激光加工低维纳米材料及应用

  2. 飞秒激光具有脉宽超短、瞬时功率密度超高、非线性加工的特点,对低维纳米材料的制备和加工有着独特的优势,且具有广泛的材料适应性,能够方便快捷地针对需要精确靶向定位和图案化加工的纳米材料做出加工策略。本文综述了飞秒激光对低维纳米材料的制备加工和改性的研究现状,介绍了时空整形飞秒脉冲激光方法下制备的功能性量子点、纳米线、二维薄膜材料,和这些材料在化学催化、生物化学检测、生物相容性及电子器件等领域的应用,分析讨论了激光液相烧蚀制备纳米材料和集成化器件加工当前所面临的挑战和今后的研究重点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-25
    • 文件大小：31mb
    • 提供者：weixin_38637144
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