理论上，通过紧密结合式有效键轨道方法，探索了自组装InAs / GaAs量子点中激子g因子电调谐的可能性。 发现各种尺寸的点中的电子g因子在很宽的场强范围内几乎没有变化。 相反，高纵横比的点中的接地Kong状态对于所施加的场非常敏感，其g因子甚至随场而变化。 用空穴状态携带的非零包络轨道角动量解释了电场存在下电子和空穴g因子的不同行为。

理论上，通过紧密结合的方法研究了自组装InAs / GaAs量子点中的电子g因子。 已经发现，由能带混合效应引起的电子g因子的各向异性比点的结构长径比对点的化学组成更敏感。 在纯InAs点中，通常会看到垂直电子g因子的模量小于面内分量，而在高度混合的InGaAs点中，情况可能会相反。 提出了一种微观理论，以揭示电子g因子中各向异性对电子态价带成分比例的依赖性。 我们的研究表明调整量子点中电子g因子各向异性的可能性。