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资源分类
搜索资源列表
INtel 8254-1芯片内部设计结构
不可多得的8254芯片结构资源,大家多多捧场啊
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-05-27
文件大小:302kb
提供者:
guoguoangang
SPCE061芯片内部结构及功能
SPCE061芯片内部结构以及内部各管脚的功能
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-06-09
文件大小:1mb
提供者:
hanchaodi123456789
2G/3G多频段射频收发芯片的工作原理及应用设计
随着中国3G发展步伐的加快,3G网络建设进入规模性发展,室内覆盖成为运营商和设备系统厂商共同关注的焦点。面对未来多系统共存的状况,如何构建一个经济有效、性能稳定、功耗低、体积小且施工灵活的多网合路室内分布系统是现有运营商急需解决的问题,也是建设3G网络的焦点之一。 针对上述应用要求,广嘉设计了一款芯片BG822CX,可实现GSM900、GSM1800、GSM1900、IS-95、 TD-SCDMA、SCDMA、PHS和 WCDMA多种制式收发功能,并且采用高中频输出结构,适合于五类线传输。本产
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-06-19
文件大小:5kb
提供者:
flair9999
74系列芯片内部结构
74系列芯片内部结构。对广大学生和电子爱好者,都有很大的帮助。还有第二部分,请下载完整
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-10-04
文件大小:9mb
提供者:
tianjueyiyi
MTK平台芯片介绍大全、芯片内部结构及其应用
MTK平台芯片大全,芯片内部结构,以及其结合周边模块的应用。
所属分类:
其它
发布日期:2011-04-26
文件大小:1mb
提供者:
jinhuiding
三星液晶显示器高压电路sem 2005芯片内部结构
三星液晶显示器高压电路sem 2005芯片内部结构
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-12-20
文件大小:114kb
提供者:
hdgcq
芯片内部flash_24K空间.zip
SYD8801 芯片内部 flash _24K空间 .zip
所属分类:
C
发布日期:2017-03-09
文件大小:3mb
提供者:
chengdong1314
有人会芯片内部开发么-详解芯片的设计生产流程.pdf
有人会芯片内部开发么-详解芯片的设计生产流程.pdf
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-03
文件大小:894kb
提供者:
weixin_38743506
电容放电时间计算表,根据电压和等效电阻电容值,计划芯片内部放电时间,评估IP DROP和瞬态电压电流对芯片VR后级电路的影响
电容放电时间计算表 根据电压和等效电阻电容值,计划芯片内部放电时间,评估IP DROP和瞬态电压电流对芯片VR后级电路的影响
所属分类:
嵌入式
发布日期:2010-06-28
文件大小:2kb
提供者:
alterli
芯片内部设计原理和结构
本文将以DC/DC降压电源芯片为例详细解说一颗电源芯片的内部设计,它和板级的线路设计有何异同?芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压,值为1.2V左右。同时开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:304kb
提供者:
weixin_38657457
如何处理芯片内部的三态电路
如何处理芯片内部的三态电路 如何处理芯片内部的三态电路
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-04-06
文件大小:278kb
提供者:
Augusdi
芯片内部与外部测试的深层采样储存技术
FPGA进行芯片内部(on-chip)纠错的技术已发展多年,现已成为取代传统复杂FPGA纠错模式的一项热门替代方案。不需配置宝贵的通用I/O接脚,便可将虚拟测试探测器(test headers)置于FPGA任何角落,是可编程逻辑元件受欢迎的功能之一。本文章将介绍在芯片内部纠错的一些限制,以及一套结合两种测试模式的替代方案,可整合芯片内部与外部测试模式的深层采样储存技术。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-09
文件大小:55kb
提供者:
weixin_38624746
元器件应用中的为什么晶振不集成到芯片内部去呢?
原因1、早些年, 芯片的生产制作工艺也许还不能够将晶振做进芯片内部, 但是现在可以了. 这个问题主要还是实用性和成本决定的 原因2、芯片和晶振的材料是不同的, 芯片 (集成电路) 的材料是硅, 而晶体则是石英 (二氧化硅), 没法做在一起, 但是可以封装在一起, 目前已经可以实现了, 但是成本就比较高了。 原因3、 晶振一旦封装进芯片内部, 频率也固定死了, 想再更换频率的话, 基本也是不可能的了, 而放在外面, 就可以自由的更换晶振来给芯片提供不同的频率. 有人说, 芯片内
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-15
文件大小:125kb
提供者:
weixin_38553791
集成函数发生器8038芯片内部电路的验证与分析
在介绍ICL8038工作原理及管脚功能的基础上,对其内部电路进行了详细分析,提出减小波形传输时间的方法。通过OrCAD 9.2对其内部电路进行晶体管级仿真,其结果表明,在触发器模块电路中采用抗饱和晶体管可提高电平翻转速度,且输出波形的频率和占空比可由电流或外围电阻控制。进一步分析证明,ICL8038具有精度高,误差小等优点,因此在各种工业自动化控制中具有巨大的应用前景。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:233kb
提供者:
weixin_38633897
基于系统级芯片内部SRAM与外部SDRAM组合设计方法
很多系统级芯片带有内部存储器,它具有速度快功耗低的优点,但容量却不是很大,因此需要和外部存储器结合起来使用。本文介绍如何配置系统以使片上SRAM和片外SDRAM一起构成一个连续的存储空间,达到比单独使用SDRAM时等待时间更短且功耗更低的目的。 LH79520是一种具有较高集成度的系统级芯片,可广泛用于多种便携式设备。该芯片带有32KB片上SRAM,可用作LCD显示器的片上帧缓存器。但不幸的是,32KB对多数彩色显示器存储容量太小,例如一个320×240 8位像素显示器需要75KB存储空间
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-12
文件大小:101kb
提供者:
weixin_38698018
芯片内部开关噪声
在如图1所示中,当驱动器3状态变化时,必然会对驱动器1的输入电容进行充放电。驱动器3由高电平到低电平转换时电流路径如图2所示,驱动器3对驱动器1下方的电容进行放电,放电回路如虚线所示,由于电路完全在芯片内部,所以不会产生互连噪声;同时对驱动器1上方的电容充电,充电回路如实线所示。驱动器3由低到高转换,驱动器1上方的电容被放电,同时下方的电容被充电,电流路径不变。 图1 驱动器3由高电平到低电平转换时的电流流向 在图1所示中,充电电流流经了封装中电源引脚电感Lp和地引脚电感气,而没
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:114kb
提供者:
weixin_38711333
嵌入式系统/ARM技术中的I2C总线芯片内部操作步骤
芯片内部操作步骤: ①主控器在检测到总线空闲的状况之下,首先发送一个启动S信号时序。 ②接着发送一个地址字节,包含7位地址码和1位读/写位R/W(假设R/W=0)。 ③在被控器收到地址字节后,发送一个应答位ACK=0。 ④在主控器收到该应答位后,开始发送第一个数据字节。 ⑤被控器收到第一个数据字节后,又发送一个应答位ACK=0。 ⑥在主控器收到应答位后,开始发送第二个数据字节。 ⑦被控器收到第二个数据字节后,再发送一个应答位ACK=0或一个非应答位NACK=1。
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:38kb
提供者:
weixin_38743054
PFC控制器芯片内部剖析
PFC控制器芯片内部剖析 飞兆半导体 飞兆半导体首席设计工程师 Vinit Jayar首席应用工程师 Victor Khasiev PFC控制器的架构 尽管有许多公司在生产不同类型的PFC (Power Factor Correction,PFC)
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:85kb
提供者:
weixin_38727062
ESP32-Temp:我们打算使用该芯片来测量温度。 ESP32芯片内部温度传感器无需任何外部模块即可使用,仅使用芯片本身即可-源码
ESP32-Temp 我们打算使用该芯片来测量温度。 ESP32芯片内部温度传感器无需使用任何外部模块即可使用。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-20
文件大小:1kb
提供者:
weixin_42131405
为什么晶振不集成到芯片内部去呢?
原因1、早些年, 芯片的生产制作工艺也许还不能够将晶振做进芯片内部, 但是现在可以了. 这个问题主要还是实用性和成本决定的 原因2、芯片和晶振的材料是不同的, 芯片 (集成电路) 的材料是硅, 而晶体则是石英 (二氧化硅), 没法做在一起, 但是可以封装在一起, 目前已经可以实现了, 但是成本就比较高了。 原因3、 晶振一旦封装进芯片内部, 频率也固定死了, 想再更换频率的话, 基本也是不可能的了, 而放在外面, 就可以自由的更换晶振来给芯片提供不同的频率. 有人说, 芯片内
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:111kb
提供者:
weixin_38705873
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