导读：英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。 　　“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%,譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器的前端升压级中。 　　新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性，该产品

英飞凌(infineon)科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装(真正的双管脚版本)产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。 　　SiC肖特基二极管的主要应用

英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。 　　SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源（

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。 　　独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺，该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻，有效地弥补了FullPAK内部隔离

导读：英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。 　　“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%,譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器的前端升压级中。 　　新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性，该产品