GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料，GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场，在光显示上的应用已使颜

蓝光半导体激光器的发展

自1962年第一只半导体激光器成功问世以来，这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向，成为现代工业的变革性力量，是各国高科技领域竞争的制高点，是“新型基础设施建设”中的核心。在国家多个科技计划支持下，我国科研人员先后实现了波长覆盖600~1550 nm的GaAs和InP半导体激光器产业化，且随着宽禁带GaN材料外延技术的不断进步，又先后实现了蓝光和绿光波段激光器的室温激射，并正向紫外方向拓展。在长波方向，基于能带剪

半导体材料经历了“硅、锗——砷化镓、磷化铟——碳化硅、氮化镓、氧化锌、氮化铝”三个发展阶段。其中，因含量丰富、提纯简便、绝缘性能好的特性，硅成为应用最多的半导体材料，95%以上的半导体器件、99%左右的集成电路都由硅半导体材料制造。第二代半导体材料则因电子迁移率高而具有快速传导电流、极高速率传输数据能力，大多用于光通讯、卫星通讯等领域。第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，广泛应用于蓝绿紫光的发光二极管、半导体激光器等方面。 其中，集成电路是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺把