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搜索资源列表

  1. 半导体激光直接倍频的488nm蓝光激光器

  2. 利用波导型准相位匹配周期极化反转铌酸锂(PPLN)晶体直接倍频波长为976 nm的连续半导体激光二极管,在最佳晶体工作温度(28 ℃)下,获得了波长为488 nm的连续蓝光输出,最大输出功率大于20 mW。所用的晶体尺寸为8 mm×1.4 mm×1 mm,波导截面为4.5 μm×3.5 μm,极化周期为5.2 μm。研究了波导型周期极化反转铌酸锂晶体的倍频效率与温度的关系,与普通的周期极化反转铌酸锂相比,倍频效率与温度关系的敏感度较低。同时,由于晶体可以在室温下工作,简化了加温与温控部件,提高了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：630kb
    • 提供者：weixin_38691220

  1. 激光二极管列阵抽运Nd:YAG/LBO大功率蓝光激光器

  2. 报道了激光二极管列阵(LDA)端面抽运全固体腔内倍频大功率蓝光激光技术的研究。采用复合Nd:YAG晶体作为增益介质,并利用半导体致冷器(TEC)对激光晶体的温度进行精密控制。倍频晶体采用Ⅰ类临界相位匹配方式切割的LBO晶体。谐振腔为V型结构。根据大功率抽运条件下激光晶体热透镜效应严重,且热透镜的焦距会随着抽运功率的增大逐渐变短的特点,计算出最大抽运功率条件下激光晶体的热透镜焦距,依据此数据来优化谐振腔结构,使激光器实现最佳模式匹配和倍频效率,得到高效蓝光激光输出。在可吸收抽运功率为18.5 W时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：518kb
    • 提供者：weixin_38527978

  1. 蓝光半导体激光器

  2. 日本松下电器产业公司率先在世界上研制成用半导体激光实现“超小型蓝光激光器”，今秋起样品上市。 这种激光器是将光波导型二次谐波元件与红外半导体激光器结为一体,组成微型组件,实现波长390~420 nm、功率1 mW的光输出。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：527kb
    • 提供者：weixin_38699724

  1. 蓝紫光宽带可调谐光栅外腔半导体激光器

  2. 利用闪耀光栅作为外腔光反馈元件，研究Littrow结构的蓝紫光外腔半导体激光器。通过引入闪耀光栅，在光栅面和半导体激光器后端面之间构成耦合外腔，改善了中心波长位于405.5 nm的边发射半导体激光二极管的性能。研究结果表明，在引入外腔反馈后，半导体激光二极管的阈值电流降低了27%，说明外腔与内腔之间具有较高的耦合效率；改变反馈元件光栅的转角，实现了激射波长的宽带连续调谐，调谐范围可达7 nm。

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  1. 144 W高功率、高亮度半导体蓝光激光器

  2. 高功率、高亮度半导体蓝光激光器在激光加工、激光医疗、大屏幕激光显示等领域具有广泛的应用，成为激光领域的研究热点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：611kb
    • 提供者：weixin_38752628

  1. 蓝绿光半导体激光器

  2. 蓝绿光半导体激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：893kb
    • 提供者：weixin_38733597

  1. 光泵蓝光有机半导体激光器

  2. 光泵蓝光有机半导体激光器

  3. 所属分类：其它

  1. 硅基蓝光半导体激光器

  2. 硅基蓝光半导体激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：604kb
    • 提供者：weixin_38516190

  1. 采用蓝紫光半导体激光器的高密度相变光记录

  2. 采用蓝紫光半导体激光器的高密度相变光记录

  3. 所属分类：其它

  1. SiC衬底上的蓝光半导体激光器

  2. SiC衬底上的蓝光半导体激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：992kb
    • 提供者：weixin_38565628

  1. 采用硼化物的蓝绿光半导体激光器

  2. 采用硼化物的蓝绿光半导体激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：602kb
    • 提供者：weixin_38616809

  1. 蓝光半导体激光器的发展

  2. 蓝光半导体激光器的发展

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：739kb
    • 提供者：weixin_38548421

  1. 蓝光半导体激光器室温脉冲振荡首次成功

  2. 蓝光半导体激光器室温脉冲振荡首次成功

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：312kb
    • 提供者：weixin_38732912

  1. 高透腔面大功率650 nm红光半导体激光器

  2. 利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值。后工艺制作出条宽100 μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出。激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：452kb
    • 提供者：weixin_38556189

  1. 在蓝光光谱波段辐射的Zn

  2. 在电子束纵向泵浦扫描半导体激光器基础上，深入研究了信息处理及其各种显示装置，特别是用于投影电视系统的激光光电管。这种激光光电管的辐射波长λ取决于制造激活元件(所谓激光屏）的半导体化合物。

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  1. 半导体激光诱导化学镀铜制备超材料太赫兹器件

  2. 提出了一种利用蓝光半导体激光器(405 nm)进行激光诱导化学镀铜制备超材料太赫兹器件的方法。此法加工的金属结构线宽可调，最小为5 μm，厚度可由镀铜时间来调节。使用太赫兹时域光谱系统对加工的太赫兹带阻滤波器进行了测试，测试结果与时域有限差分仿真计算基本相符，器件加工质量符合设计要求。使用半导体激光器进行激光诱导化学镀制备超材料太赫兹器件具有能耗低、设备成本低、性价比高等优点。

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  1. 蓝光抽运掺镨氟化钇锂橙光激光器

  2. 报道了蓝光半导体激光抽运的掺镨氟化钇锂（Pr:YLF）橙光607 nm固体激光器。光抽运半导体激光器（OPSL）与激光二极管（LD）相比具有光束质量好、输出功率高、吸收效率高等优点，因此采用OPSL作为抽运源有助于提高Pr:YLF激光器性能。分别测量了Pr:YLF在橙光波段内常温（300 K）和低温（12 K）时的偏振发射光谱，表明该晶体的橙光3P0→3H6跃迁主要包含6条发射谱线。采用最高输出功率为1.9 W，中心波长为479.2 nm的OPSL作为抽运源，以及长度为5 mm、掺杂原子数分数为

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  1. 405 nm波段光栅外腔窄线宽蓝紫光半导体激光器

  2. 自由运行的半导体激光器由于谱线较宽而无法满足如拉曼散射等对线宽有要求的应用需求，因此获得线宽较窄、波长稳定的半导体激光器十分必要。采用反射式全息光栅作为谱线窄化元件，研究了在Littrow 布局下的405 nm 外腔半导体激光器。反射式全息光栅的加入，使得光栅面和半导体激光器的输出面组成耦合外腔，这在很大程度上改善了405 nm 半导体激光器的线宽性能。实验结果表明，通过加入2400 line/mm 的反射式全息光栅形成外腔反馈，半导体激光器的阈值电流由31 mA 下降到22 mA，谱线宽度从自

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  1. 高可靠性瓦级660 nm半导体激光器研制

  2. 利用Zn扩散形成非吸收窗口的技术, 制备了大功率660 nm半导体激光器。在芯片窗口区用选择性扩Zn方式, 使得窗口区有源层发光波长蓝移了61 nm, 有效降低了腔面的光吸收。制备的激光器芯片有源区条宽为150 μm, 腔长为1000 μm, p面朝下用AuSn焊料烧结于AlN陶瓷热沉上。封装后的器件最高输出功率达到了4.2 W, 并且没有出现灾变性光学腔面损伤的现象。半导体激光器的水平发散角为6°, 垂直发散角为39°, 室温1.5 A电流下的激光峰值波长为659 nm。使用简易的风冷散热条件

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  1. 大功率640 nm红光半导体激光器的设计及制备

  2. 设计并制备了一款短波长红光640 nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层，其中，限制层使用低折射率的AlInP材料，有源区使用张应变的GaInP/AlGaInP量子阱。外延层有源区的光致发光谱出现两个分裂的发光峰，位于627 nm及616 nm处，分别对应于电子到轻空穴及重空穴的跃迁。对芯片窗口区域进行选择性Zn扩散，量子阱原子发生混杂，波长蓝移了43 nm。不带非吸收窗口的器件在1.9 A发生腔面灾变性光学损伤（COD），功率为1.4 W。

  3. 所属分类：其它

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