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  1. GaN基蓝光半导体激光器的发展.pdf

  2. GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料,GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场,在光显示上的应用已使颜
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-05
    • 文件大小:345kb
    • 提供者:weixin_38744207
  1. 蓝绿光半导体激光器

  2. 蓝绿光半导体激光器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-13
    • 文件大小:893kb
    • 提供者:weixin_38733597
  1. 采用硼化物的蓝绿光半导体激光器

  2. 采用硼化物的蓝绿光半导体激光器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:602kb
    • 提供者:weixin_38616809
  1. 小型激光直写光刻系统

  2. 针对早期研制的激光直写装置存在的刻写速度慢、功能不够完善的缺点,重新设计并搭建了一套小型激光直写光刻系统。该系统采用波长405 nm可高速模拟调制的单横模半导体激光器作为刻写光源,结构更为简单紧凑;采用正弦振荡模式控制纳米平台运动,大幅度提高了刻写速度;增加了刻写光源功率校正功能、基于互补金属氧化物半导体(CMOS)相机的样品观察功能、蓝光共聚焦成像功能以及刻录光源功率衰减以实现一般光刻胶刻写的功能。通过记忆调焦数据,刻写蓝光、辅助聚焦红光以及样品观察绿光三束光分时工作,互不干扰。实验表明,该光
  3. 所属分类:其它

  1. “半导体激光器”专题 前言

  2. 自1962年第一只半导体激光器成功问世以来,这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向,成为现代工业的变革性力量,是各国高科技领域竞争的制高点,是“新型基础设施建设”中的核心。在国家多个科技计划支持下,我国科研人员先后实现了波长覆盖600~1550 nm的GaAs和InP半导体激光器产业化,且随着宽禁带GaN材料外延技术的不断进步,又先后实现了蓝光和绿光波段激光器的室温激射,并正向紫外方向拓展。在长波方向,基于能带剪
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    • 发布日期:2021-01-26
    • 文件大小:296kb
    • 提供者:weixin_38744435
  1. 半导体设备投资价值分析报告

  2. 半导体材料经历了“硅、锗——砷化镓、磷化铟——碳化硅、氮化镓、氧化锌、氮化铝”三个发展阶段。其中,因含量丰富、提纯简便、绝缘性能好的特性,硅成为应用最多的半导体材料,95%以上的半导体器件、99%左右的集成电路都由硅半导体材料制造。第二代半导体材料则因电子迁移率高而具有快速传导电流、极高速率传输数据能力,大多用于光通讯、卫星通讯等领域。第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点,广泛应用于蓝绿紫光的发光二极管、半导体激光器等方面。 其中,集成电路是一种微型电子器件或部件,采用一定的工艺把
  3. 所属分类:其它