本设计方案描述了上一个方案的改进（参考文献1）。如图1中电路使用普通的SPST按键开关S1代替原设计所需的SPDT开关。使用隔膜开关极大的简化了设备的工业化设计，并提高了工效。此外，电路通过未激励开关消除电流的方法，从而略微减少了现有模式中的电流消耗。 　　备用模式中，MOSFET Q1仍然关闭，消耗电池少于1 µA的漏电流。按下开关S1，通过二极管D1将门极拉到地，使Q1打开。电压稳压器IC1开启，为微处理器IC2供能。微处理器启动，并将P1.1输出端口置高。打开晶体管Q2，锁存系统能量到允许