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搜索资源列表

  1. led蓝宝石衬底

  2. LED蓝宝石衬底深度研究，下游需求释放加速。非常有用的啊。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-12-14
    • 文件大小：438kb
    • 提供者：tpstruggle

  1. LED入门系列课件_第五章_LED衬底材料与制造技术

  2. LED入门系列课件_第五章_LED衬底材料与制造技术 第五章 LED衬底材料与制造技术 §1 LED的外延生长 §2 LED的芯片制备 §3 LED的封装技术

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-07-07
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：ecko33

  1. 有关衬底驱动技术的原理和应用

  2. 上面讲了关于衬底驱动的组成，原理，好处，和应用！很好理解！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-23
    • 文件大小：319kb
    • 提供者：wwqdaan

  1. 硅衬底上生长的MODFET的DC特性和微波频率特性

  2. 硅衬底上生长的MODFET的DC特性和微波频率特性的详细描述与介绍

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2018-04-28
    • 文件大小：552kb
    • 提供者：love0528

  1. 柱面弯曲对矿用可穿戴半模衬底集成空腔天线性能的影响

  2. 对矿用可穿戴半模衬底集成空腔天线在柱面弯曲情况下的频率特性、阻抗匹配及辐射特性进行了仿真分析，结果表明：天线柱面弯曲导致谐振频率升高，但-10 dB相对带宽基本不变；当辐射开口发生弯曲时，天线阻抗匹配随着弯曲程度增大而逐渐变差；天线柱面弯曲造成正向辐射增益降低、背向辐射增益升高。因此，针对天线在柱面弯曲情况下的应用，应适当增大天线空腔尺寸和导电底面的长度或宽度，并在选择天线放置方向时应保持辐射开口不弯曲。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-15
    • 文件大小：851kb
    • 提供者：weixin_38731123

  1. 矿用多频切换半模衬底集成空腔天线设计

  2. 根据煤矿井下无线通信和人员实时监控对可穿戴式天线的要求,在半模衬底集成空腔天线的基础上,分析了通过在空腔不同位置添加短接针对谐振频率的影响,并利用可拆卸式的螺丝代替短接针,设计了一种能够实现2.45~3.07GHz多频切换的矿用可穿戴式天线。由导电布、导电缝纫线和皮革衬底组成的天线实物的测试结果与仿真结果一致,验证了该天线设计的可行性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-03
    • 文件大小：861kb
    • 提供者：weixin_38606019

  1. 利用SrMnO3缓冲层实现Si（001）衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜择优取向的生长

  2. 利用SrMnO3缓冲层实现Si（001）衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜择优取向的生长，代红云，王波，本文采用单层SrMnO3（SMO）作为缓冲层，在传统半导体Si(001)衬底上成功制备出具有（110）面择优取向的La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）薄膜。SMO/Si异质�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-03
    • 文件大小：413kb
    • 提供者：weixin_38546622

  1. TiO2掺Cu薄膜对LaAlO3衬底拉曼谱增强的分析

  2. TiO2掺Cu薄膜对LaAlO3衬底拉曼谱增强的分析，王运佳，李树玮，在LaAlO3(111)衬底上，利用分子束外延(MBE)方法，在生长温度为480 ℃下，制备了高质量纯TiO2及TiO2掺Cu薄膜，并利用拉曼光谱、光电子能谱(XP

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：243kb
    • 提供者：weixin_38720756

  1. 硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备

  2. 硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备，孙艳平，刘艳红，首先，在n/N+外延硅衬底上利用化学刻蚀法完成大面积均一硅纳米线的刻蚀，再利用热丝化学气相淀积法（HWCVD）沉积p型非晶硅薄膜，从�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：261kb
    • 提供者：weixin_38550146

  1. 衬底图样对两嵌段共聚高分子薄膜介观结构的影响

  2. 衬底图样对两嵌段共聚高分子薄膜介观结构的影响，唐建波，刘洪来，用元胞动力学方法(CDS)研究了受限于平板之间的对称A、B两嵌段共聚物薄膜的微观结构。平板具有条状结构，对A嵌段有排斥作用、对B嵌段

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：511kb
    • 提供者：weixin_38577648

  1. GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析

  2. GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析，陈文丽，李军帅，本文从理论上研究了GaAs衬底-纳米线型pn结的电学特性。结果显示，GaAs衬底-纳米线型pn结表现出明显的二极管特性，与已有的实验数据相�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：678kb
    • 提供者：weixin_38625164

  1. 基于复合纳米压印技术的SERS衬底的制备

  2. 基于复合纳米压印技术的SERS衬底的制备，杨涛，傅欣欣，本文描述了一种高效，快捷制备高质量的表面增强拉曼散射（SERS）衬底的方法。采用复合纳米压印技术可以从多孔氧化铝（AAO）模板复�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-24
    • 文件大小：821kb
    • 提供者：weixin_38637764

  1. 基于蓝宝石衬底的硅纳米线氨气传感器

  2. 基于蓝宝石衬底的硅纳米线氨气传感器，周畅，胡礼中，采用化学气相输运方法在蓝宝石衬底上制备了高密度的硅纳米线，通过扫描电子显微镜（SEM）对其形貌进行了表征。实验结果表明这种硅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-10
    • 文件大小：514kb
    • 提供者：weixin_38732842

  1. 方兴未艾的单晶衬底材料

  2. 方兴未艾的单晶衬底材料，臧竞存，，介绍了作为衬底材料的一系列单晶的使用状态及其在发光材料、光电子材料、磁性材料、超导材料、光学材料、铁电材料等方面的应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-06
    • 文件大小：303kb
    • 提供者：weixin_38688352

  1. ZnWO4 单晶衬底上ZnO 薄膜的晶核发育与形貌分析

  2. ZnWO4 单晶衬底上ZnO 薄膜的晶核发育与形貌分析，臧竞存，田战魁，ZnWO4 单晶的a晶面与氧化锌c晶面晶格匹配很好，是制备氧化锌薄膜的优良衬底。 本文采用溶胶-凝胶法在ZnWO4 单晶衬底上制备出透明的ZnO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-04
    • 文件大小：196kb
    • 提供者：weixin_38688745

  1. 图形化衬底上外延结构的形态演化

  2. 图形化衬底上外延结构的形态演化，倪勇，何陵辉 ，本文采用相场数值模拟研究了图形化衬底上外延形态演化及其可调控性。发现通过在衬底表面预制合适的图形，改变外延层表面初始的应

  3. 所属分类：其它

  1. AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性

  2. AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性，吴军，韩平，本工作利用化学气相淀积（CVD）方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功异质外延生长了4H-SiC薄膜；用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）、阴极�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-29
    • 文件大小：309kb
    • 提供者：weixin_38516863

  1. 溶胶凝胶工艺在硅（100）衬底上制备多晶La0.67(Sr1-xCdx)0.33MnO3 薄膜

  2. 溶胶凝胶工艺在硅（100）衬底上制备多晶La0.67(Sr1-xCdx)0.33MnO3 薄膜，刘祖黎，张建，用溶胶凝胶方法和快速退火工艺成功的在硅（100）衬底上制备了多晶 La0.67(Sr1-xCdx)0.33MnO3 薄膜。通过场发射电镜观察和X射线衍射进行研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-09
    • 文件大小：892kb
    • 提供者：weixin_38736562

  1. 衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响

  2. 衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响，姜守振，王传超，在不同的衬底温度下在n型Si（111）衬底上采用脉冲激光沉积的方法生长了（002）择优取向的具有室温铁磁性的Zn0.95Co0.05O薄膜。X射线衍射�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：550kb
    • 提供者：weixin_38673798

  1. Mg衬底上合成MgB2薄膜

  2. Mg衬底上合成MgB2薄膜，庄承钢，姚丹，我们利用混合物理化学气相沉积技术在普通Mg基底上成功制备了MgB2织构薄膜。样品超导起始转变温度达到了39.5 K。薄膜致密且具有良好的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-30
    • 文件大小：217kb
    • 提供者：weixin_38633475
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