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  1. LED入门系列课件_第五章_LED衬底材料与制造技术

  2. LED入门系列课件_第五章_LED衬底材料与制造技术 第五章 LED衬底材料与制造技术 §1 LED的外延生长 §2 LED的芯片制备 §3 LED的封装技术

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-07-07
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：ecko33

  1. 硅衬底GaN基LED最新进展.docx

  2. 目前，蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位，但随着产业的不断发展，竞争日趋激烈，基于蓝宝石衬底的技术发展变缓，再加上其成本高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：14kb
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 高性能低维半导体材料_硅异质结光电探测器_刘雪梅.caj

  2. 二维材料石墨烯、低维化合物材料硒化铟等光电性能良好的半导体材料，可 以与硅衬底结合制备高响应度高探测率等高性能的光电探测器。由于石墨烯与硅 接触时易被调控，本论文主要研究了将氟化石墨烯、掺硼硅量子点等材料与石墨 烯／硅光电探测器结合，对石墨烯进行调控，提升器件的响应特性。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：SparkQiang

  1. 方兴未艾的单晶衬底材料

  2. 方兴未艾的单晶衬底材料，臧竞存，，介绍了作为衬底材料的一系列单晶的使用状态及其在发光材料、光电子材料、磁性材料、超导材料、光学材料、铁电材料等方面的应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-06
    • 文件大小：303kb
    • 提供者：weixin_38688352

  1. LED芯片衬底材料选择及考虑因素

  2. 衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-27
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：weixin_38725734

  1. 基础电子中的3D封装材料技术

  2. 随着移动电话等电子器件的不断飞速增长，这些器件中安装在有限衬底面积上的半导体封装也逐渐变小变薄。3D封装对减少装配面积非常有效。此外，系统级封装(SiP)技术(将二个或多个芯片安装在一个封装件中)对于提高处理速度和改善功耗的作用显着(图1)。为满足这一要求，不仅是每一种封装材料的特性非常重要，而且这些材料的组合也变得很重要。 　　本文重点介绍了材料、材料设计技术以及二者的结合，例如多芯片叠层封装、用于堆叠封装的环氧模塑料和衬底以及用于先进倒装芯片封装的底充胶材料。 　　3D封装用的先进材

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：259kb
    • 提供者：weixin_38720978

  1. 显示/光电技术中的LED芯片常用衬底材料选用比较

  2. 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 　　1.  蓝宝石（Al2O3） 　　2.  硅 (Si) 　　3.  碳化硅（SiC） 　　蓝宝石衬底 　　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：158kb
    • 提供者：weixin_38529251

  1. 显示/光电技术中的LED衬底材料的选用

  2. 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 　　·蓝宝石（Al2O3） 　　·硅 (Si) 　　·碳化硅（SiC） 　　蓝宝石衬底 　　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：158kb
    • 提供者：weixin_38543749

  1. 显示/光电技术中的采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器

  2. Khan等人[25]在1992年报道了第一支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处最高增益达6×103。在5 V的偏压下响应度最高可达2000 A/W。随后，由于51材料成熟的工艺技术且易于集成等优点，人们试图将GaN材料生长在Si衬底上以利于和电子器件的集成。Stevens等人⒓刨在51衬底上生长P型GaN薄膜，但光响应度较低，在14V偏压下最高响应度只有30 A/W。由于Si和GaN之

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38551837

  1. SOI材料和功率器件衬底

  2. SOI衬底材料用于制备高速、高抗辐射和低功耗器件和大规模集成电路（IC），与其它材料相比它具有速度高、抗辐射性强、功耗小等优点，应用于军事和航天等特殊领域，但是SOI衬底材料制备困难，成本高[8]。目前，制备SOI材料常用的技术有三种[9]：在蓝宝石衬底上的异质外延技术（SOS）、氧离子注入隔离技术（SMIOS）、硅-硅直接键合技术（SDB）。异质外延工艺是在与硅材料晶格结构相近的绝缘材料蓝宝石上面外延一层单晶硅。由于蓝宝石和硅的晶格结构的不完全相同导致硅外延层中缺陷密度高，在外延的界面处产生应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 半导体材料概述

  2. 半导体材料是电子工业的重要基础材料。从五十年代后期开始半导体材料及其工艺设备的研制，是我国半导体和红外材料的主要研究、开发、生产基地，为国家电子信息工业和国防建设做出了重大贡献。　　主要研究领域有：　　　　※ 用于超大规模集成电路的优质直拉大直径硅单晶及抛光片　　※ 用于外延衬底的重掺杂直拉硅单晶及抛光片　　※ 功率器件用大直径区熔硅单晶及晶片　　※ 用于超高速电路的半绝缘砷化镓单晶及晶片　　※ 多种用途的水平砷化镓单晶及晶片　　※ 应用于光电子等领域的磷化镓、磷化铟、锑化镓、砷化铟单晶及晶片　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38518885

  1. 电介质刻蚀面临材料和工艺的选择

  2. 半导体加工中，在晶片表面形成光刻胶图形，然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转移到光刻胶下面的材料层上。这一工艺过程要求非常精确。但是，各种因素例如不断缩小的线宽、材料毒性以及不断变大的晶片尺寸等都会使实际过程困难得多（图1）。 　Applied Materials公司电介质刻蚀部总经理Brian Shieh说：“前段（FEOL）和后段（BEOL）电介质刻蚀的要求各不相同，因此要求反应器基本功能具有很大的弹性，对于不同的要求都能够表现出很好的性能。” 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：123kb
    • 提供者：weixin_38691194

  1. 薄膜中去除材料的技术

  2. 在半导体器件的制造中，蚀刻是指将选择性地从衬底上的薄膜中去除材料的技术（在其表面上有或没有先有结构），并通过这种去除在衬底上形成该材料的图案。该图案由耐蚀刻工艺的掩模限定，该掩模的产生在光刻中详细描述。一旦放置好掩模，就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了此过程的示意图。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-06
    • 文件大小：888kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 图形衬底参数对LED发光效率的影响

  2. 以蓝宝石（Al2O3）为衬底材料，通过软件设计和模拟，研究了图形衬底（PS）的图案选择、图形原胞尺寸和图形原胞间距大小3个参数对LED出光效率的影响。研究结果表明，原胞半径为1.25 μm，原胞间距为0.5 μm的半球型结构是最优化的图形衬底结构；并且采用湿法刻蚀技术，制备了该结构的LED芯片，测试得到该种LED芯片出光效率较之普通LED芯片提高了33%。分析了PS技术改善LED出光效率的根源在于改善了芯片质量，提高了芯片的内量子效率。

  3. 所属分类：其它

  1. GaN衬底材料LiGaO

  2. 以温度梯度法生长LiGaO2晶体,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2晶体.但在生长过程中由于CO气体的存在,熔体表面形成了LiO-和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2MoO4进入熔体,使样品上下两部分的结晶质量变差.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：183kb
    • 提供者：weixin_38699726

  1. 新型蓝光衬底材料LiAlO

  2. LiAlO2和GaN的晶格失配率只有1.4%,是一种很有希望的GaN外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出了透明的LiAlO2单晶,并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射X射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明:LiAlO2在钼坩埚中无籽晶自由凝固结晶时,是沿(100)方向生长。用温度梯度法生长的LiAlO2晶体质量良好,晶体中无气泡和包裹物。在LiAlO2(100)晶面上测得的位错密度为(3.8～6.0)×104cm-2,晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌结构,可能是由于温

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1004kb
    • 提供者：weixin_38592455

  1. GaN外延衬底LiGaO

  2. LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验,用提拉法生长了尺寸为<15×60mm的高质量LiGaO2单晶。利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响。LiGaO2晶体在〈100〉方向生长速率最快,在〈001〉方向上生长较慢。由于原料按非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生C-Ga2O3包裹物。包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用,往往形成平行于(001)面的亚晶界。通过调整

  3. 所属分类：其它

  1. 玻璃和聚酰亚胺衬底上磁控溅射沉积的ZnO∶Al透明导电膜的结构、电学和光学性能

  2. 利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜（PI）衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜（ZnO∶Al）。系统地研究了不同衬底材料对薄膜的结构、电学以及光学性能的影响。分析表明，衬底材料对薄膜的结晶性和电学性能有较大的影响，对可见光透射率却影响不大。X射线衍射(XRD)分析得出所有的ZnO∶Al具有良好的c轴择优取向性，在可见光区(400～800 nm)两种衬底上的薄膜都达到了85%的透射率。玻璃衬底上的薄膜呈现出更强的（002）衍射峰及相对更小的半峰全宽（FWHM），薄膜电阻率达

  3. 所属分类：其它

  1. LED衬底材料的选用

  2. 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 　　·蓝宝石（Al2O3） 　　·硅 (Si) 　　·碳化硅（SiC） 　　蓝宝石衬底 　　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：203kb
    • 提供者：weixin_38663169

  1. LED芯片常用衬底材料选用比较

  2. 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 　　1.  蓝宝石（Al2O3） 　　2.  硅 (Si) 　　3.  碳化硅（SiC） 　　蓝宝石衬底 　　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：213kb
    • 提供者：weixin_38548394
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