纳米晶碳化硅（nc-SiC）薄膜已经通过螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术在硅（1 0 0）衬底上生长，并且通过改变衬底温度（Ts）将薄膜的光致发光从黄色调至蓝色。 ）。 所得的nc-SiC薄膜显示出嵌入氢化非晶SiC基质中的3C–SiC纳米微晶的微观结构。 对红外吸收的详细分析表明，薄膜的结晶度随Ts的增加而增加，而薄膜中氢相关键的含量则降低。 发现nc-SiC膜的光致发光光谱由两个高斯分量组成。 随着Ts的增加，具有较高能量的组分呈现出增长的趋势，并且相应的峰移至高能量侧，表明膜中的主要发光