采用反应离子刻蚀技术，设计、制备了一种角反射器耦合的10单元InGaAs应变层单量子阱镇相列阵激光器。在高达4×Ith的工作电流范围内，获得了主单瓣远场输出，单瓣束宽最低达0.64°，接近衍射极限。考虑了角反射器引入的纵模与侧模之间的耦合，及载流子注入引起的反折射率导引，用微扰理论作了模拟计算，表明角反射器耦合是锁相列阵的一种新的耦合机制；主瓣对应于同相锁定，支瓣是由周期性微扰引入的高阶本征模。