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  1. 详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤.doc

  2. ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-07-23
    • 文件大小:61kb
    • 提供者:weixin_39840650
  1. 详解MOS管发热的原因

  2. 做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到场效应管,也就是人们常说的MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-21
    • 文件大小:115kb
    • 提供者:weixin_38750644
  1. 电源技术中的功率MOS管的五种损坏模式详解

  2. 第一种:雪崩破坏     如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。     在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。     典型电路:     第二种:器件发热损坏     由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-15
    • 文件大小:344kb
    • 提供者:weixin_38727825
  1. 功率MOS管的五种损坏模式详解

  2. 种:雪崩破坏     如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。     在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。     典型电路:     第二种:器件发热损坏     由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-13
    • 文件大小:300kb
    • 提供者:weixin_38712874