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  1. 数控回转工作台 多点液压夹紧 连续进给

  2. 工作台 数控 回转 经济 调隙 涡轮 蜗杆 多点液压夹紧 连续进给 四轴联动
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-03-05
    • 文件大小:40kb
    • 提供者:lunwenwoaini
  1. 永磁同步电动机弱磁调速控制方法的研究.pdf

  2. 一篇弱磁调速的研究生论文,很有参考价值,很有参考价值中文摘要 中文摘要 由于水磁冋步电动机(PMSM)具有体积小、功率密度高、效率和功率因数 高等明显优点,目前在电动汽车驱动系统中具有较高的应用价值,国内外学者在 这方面的研究取得了不少成果。同时,伴随着电力电子器件和高速微控制器的发 展,永磁同步电动机的控制理论研究和实践应用不断完善和提高,永磁同步电动 机驱动系统将会有更广泛的应用前景。 本文在阅读大量文献的基础上,熟悉了永磁同步电动机dq轴数学模型和矢 量控制系统,针对其弱磁控制,从转了磁场
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-07-28
    • 文件大小:13mb
    • 提供者:weixin_45463920
  1. 永磁调速式煤矿区移动制冷装置

  2. 对永磁调速型移动制冷装置进行整体设计,研究了配合磁力耦合器的ZLF-400移动制冷装置。在温度不断变化的实验场地进行制冷试验,不设置温度参数时,制冷温度会自动调节到固化温度,若需改变温度,则改变控制器上温度参数,控制器会向调速型磁力耦合器的执行器发出改变气隙的命令,从而调节压缩机与风机电机转速来改变制冷温度。在相同条件下不用磁力耦合器控制电机做相同制冷试验,每小时设备耗电量明显增加。试验结果表明,使用调速型磁力耦合器的制冷设备,制冷温度与风量适宜且耗能低,大大节约了耗电成本,且增加了工作人员的舒
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-14
    • 文件大小:222kb
    • 提供者:weixin_38692043
  1. 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

  2. 采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-27
    • 文件大小:82kb
    • 提供者:weixin_38500709
  1. 电源技术中的高电源抑制的带隙基准源设计方案

  2. 本文通过结合LDO与Brokaw基准核心,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,最高PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。  1 电路结构  1.1 基准核心  目前的基准核心可以有多种实现方案:混合电阻,Buck voltage transfer cell,但是修调复杂,不宜工业化。本设计采用Brokaw基准核心,其较易实现高压基准输出,并且其温
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:224kb
    • 提供者:weixin_38576045
  1. 一种输出可调CMOS带隙基准源

  2. 从调整电路结构着手,介绍了一种可变输出电压的基准源。这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:349kb
    • 提供者:weixin_38741540
  1. 等面积PWM调制在变频调速系统的实现

  2. 随着电力电子全控型开关器件的出现和发展,脉宽调制技术(PWM)在电力电子变流技术中获得了广泛的应用。相比较于硬件实现方法,采用软件计算的实时PWM控制策略已被接受,并出现了许多不同的PWM波的发生方法,如采样SPWM法、谐波注入PWM法、均值PWM法、等面积PWM法等。更有将逆变器与负载作为整体建立PWM控制策略的方法,如电动机变频调速领域常用的基于电动机气隙磁通轨迹最圆的磁通轨迹法PWM控制、基于电动机电磁转矩自调整的PWM控制、基于状态方程和输出反馈信号推算的无差拍PWM控制等[1]。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:219kb
    • 提供者:weixin_38622827
  1. 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

  2. 本文设计了一种高精度、高电源抑制比、低电压的带隙基准电路,并且实现了对基准电压的外部修调。结果表明:电路在3.3 V电源电压,-40~+125℃下能提供稳定的0.5 V基准电压输出,温漂15 ppm,低频时电源抑制比-103 dB,达到了设计要求。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-25
    • 文件大小:296kb
    • 提供者:weixin_38625184
  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式,其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点,因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上,采用电流反馈、一级温度补偿等技术,同时在电路中加入启动电路,设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源,并在S
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-08
    • 文件大小:195kb
    • 提供者:weixin_38714653
  1. 周期性chi光子晶体的多光子带隙及其动态调制

  2. 提出了周期性chi光子晶体结构,其中通过使用转移矩阵法建立结构的数学模型,获得了多光子带隙的特性,并且谐振波长与各层厚度之间的关系模型具有已设置。 利用逆压电效应,在光子晶体上产生应变,并且每一层的厚度都会改变,这将导致多光子带隙的移动。 从仿真结果表明,通过调整光子晶体结构中的层数,可以优化半峰全宽(FWHM),并可以改善品质因数(Q值)。 与普通的压电陶瓷相比,利用压电陶瓷叠层,可以在较低的电压下获得更高的应变,波长偏移可以达到120 nm,灵敏度约为0.6 nm / V。 周期性chi光子
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:687kb
    • 提供者:weixin_38699352
  1. 微波辅助水合过渡金属离子掺杂的ZnSe / ZnS核/壳量子点的可调白光发射

  2. 报道了合成的亮白色发光的Mn和Cu共掺杂的ZnSe / ZnS核/壳量子点(QDs)(Cu,Mn:ZnSe / ZnS)的合成。 锰和铜掺杂的水溶性ZnSe基量子点是使用微波辅助方法在水溶液中采用通用的热注入方法制备的。 研究了Selenium/硫比,稳定剂,回流时间和铜/锰掺杂离子浓度对粒径和光致发光(PL)的影响。 通过X射线粉末衍射仪(XRD),高分辨率透射电子显微镜(HRTEM),紫外可见(UV-vis)分光光度计和荧光分光光度计对在不同生长阶段制备的量子点进行了表征。 发现在温和条件下
  3. 所属分类:其它

  1. 可选的渗透大中空光子带隙光纤

  2. 利用简单的电弧放电技术制备了一种可选的可渗透大中空光子带隙光纤。 偏移,放电持续时间,电弧电流和放电时间针对选定的密封侧气Kong进行了优化,但使中央大气Kong保持部分打开状态。 通过增加放电次数来缩短PCF的塌陷长度,并随着放电持续时间和电弧电流保持在相对较低的水平而进行补偿。 当中心空心气Kong被一种折射率为1.30的油渗透时,位​​于光子带隙处的波长的光仍然可以传播。 可选的可渗透大中空光子带隙光纤具有实现新型激光器,传感器和可调光电子设备的潜在应用。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:837kb
    • 提供者:weixin_38557757
  1. 可重配置的宽带滤波巴伦,具有CPW到插槽的过渡和变容二极管负载的短时隙,具有可调的双陷波频段

  2. 可重配置的宽带滤波巴伦,具有CPW到插槽的过渡和变容二极管负载的短时隙,具有可调的双陷波频段
  3. 所属分类:其它

  1. 高度可调的太赫兹滤波器,在半导体-绝缘体-半导体波导中形成磁光布拉格光栅

  2. 提出了一种在半导体-绝缘体-半导体波导中形成磁光布拉格光栅的高度可调太赫兹(THz)滤波器,并通过有限元方法进行了数值模拟。 结果表明,在具有缺陷的布拉格光栅波导的带隙中存在具有高Q值的尖峰,并且可以通过改变施加到器件的横向磁场的强度来极大地改变尖峰的位置。 与没有施加磁场的情况相比,当施加1 T磁场时,滤波后的频率(波长)的偏移高达36.1 GHz(11.4μm)。 此外,本文提出了一个简单的模型来预测滤波频率,并提出了一种有效的方法来提高滤波器的Q值。 (C)2013年作者。 除另有说明外,
  3. 所属分类:其它

  1. H2O分子吸附在SiO2上AB堆积双层石墨烯的可调带隙

  2. H2O分子吸附在SiO2上AB堆积双层石墨烯的可调带隙
  3. 所属分类:其它

  1. 功率器件施加电场下AB堆积双层石墨烯的可调带隙

  2. 功率器件施加电场下AB堆积双层石墨烯的可调带隙
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-02
    • 文件大小:663kb
    • 提供者:weixin_38689223
  1. 使用新型中央半导体可饱和吸收镜(C-SESAM)优化无源调Q激光器

  2. 用新型中央半导体可饱和吸收镜(C-SESAM)实现的二极管泵浦无源调Q激光器可以获得更高的重复率和更短的脉冲持续时间,这在理论和实验上都得到了证明。 因此,必须优化这种激光器以实现许多期望的性能。 当InGaAs薄层的直接带隙吸收,GaAs衬底的单光子吸收(SPA)和双光子吸收(TPA)过程同时被考虑时,通过数值求解归一化速率方程。 引入了一些新的归一化参数,并确定了最优无源调Q激光器的关键参数,包括最优归一化耦合参数和最优归一化可饱和吸收体参数,它们可以最大化输出能量。 生成了一组一般曲线,并
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-24
    • 文件大小:128kb
    • 提供者:weixin_38747025
  1. 基于开口环的可调谐滤波器及其电磁带隙

  2. 基于开口谐振环上加载变容二极管设计可调谐滤波器,很好地实现了电磁波带隙的可调。在单环开口谐振环缝隙处或者双环开口谐振环的两环之间加载变容二极管,改变加载变容管上得的电压,改变该结构的分布参量而达到滤波器可调性能。同时通过数值计算分析了该滤波器结构对电磁波的频率响应函数,指出其形成电磁波带隙的物理机制,为了消除开口谐振环的磁谐振效应而关闭开口谐振环的缝隙实验进行了验证。研究表明基于变容管开口环的可调谐滤波器所形成的电磁波带隙中,有的带隙是源于磁谐振机制,有的带隙是源于电谐振机制。对该滤波器形成带隙
  3. 所属分类:其它

  1. 调Q激光自触发斩波产生纳秒脉宽单脉冲激光

  2. 为利用现有装备简单获得纳秒脉宽、峰值较高的单脉冲激光,满足军事应用和高温等离子体干涉研究的时间分辨要求,采用专利技术优化了调Q脉冲激光自斩波KDP泡克耳斯盒电光开关的触发狭隙,解决了19 kV全波电压下静态绝缘阻断和调Q激光脉冲前沿低阈值击穿双重可靠以及全系统动作同步,确保了触发的快捷和峰值附近斩波,实现了从传统红宝石激光器脉宽30 ns,能量80 mJ的调Q激光脉冲中斩出1.7 ns,4 mJ的单脉冲激光。实验和分析表明,预处理崎化了开关电极间的场分布,强化了激光触发作用,保证了斩出脉冲的窄脉
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:813kb
    • 提供者:weixin_38696176
  1. 光子晶体波导可调光衰减器

  2. 提出一种直接用光子晶体(PC)波导实现的新型可调光衰减器(VOA)。基于填充液晶的光子晶体方向带隙的可调节性,通过调节液晶指向矢的旋转角实现对光子晶体波导衰减量进行控制。采用时域有限差分法(FDTD)对其原理和结构参量进行了分析。数值模拟结果表明,随着液晶旋转角从0°~90°改变,填充液晶的光子晶体波导可以实现光通量在0.5~25.4 dB的动态衰减,它插入到普通光子晶体波导之间的额外损耗只有0.2 dB,尺寸仅为微米量级。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:698kb
    • 提供者:weixin_38572115
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