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  1. 负载电容的影响

  2. 详细描述传输线上负载电容对高速数字信号传播的影响

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-22
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：lwgui2009

  1. 旁路电容与去耦电容的比较

  2. 从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载.如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作.这就是耦合.

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-07-12
    • 文件大小：10kb
    • 提供者：kelvin_2010

  1. 关于晶振与匹配电容的总结

  2. 1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：161kb
    • 提供者：weixin_38649657

  1. 单片机晶振两个电容的作用

  2. 这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38734269

  1. 浅谈DC/DC转换器中电感器对待机时间的影响

  2. DC/DC是开关电源芯片。开关电源，指利用电容、电感的储能的特性，通过可控开关（MOSFET等）进行高频开关的动作，将输入的电能储存在电容（感）里，当开关断开时，电能再释放给负载，提供能量。其输出的功率或电压的能力与占空比（由开关导通时间与整个开关的周期的比值）有关。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：135kb
    • 提供者：weixin_38728624

  1. 基础电子中的晶振与匹配电容的总结

  2. 1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。 　　2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。 　　3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：168kb
    • 提供者：weixin_38604916

  1. 元器件应用中的输入电容对于高频测试的影响

  2. 为什么经验老道的工程师都要在测试前调整一下探头的档位呢？不同档位除了输入阻抗、带宽、上升时间等不同之外，还有个很重要的参数是输入电容，它对于被测信号究竟有多大的影响？ 　　探头的输入电容对于高频信号有很大的影响，信号频率越高，影响也就越大，具体有何影响呢？ 　　一、探头负载效应 　　简单来说，探头的负载效应就是在用探头测电路中的其中两点的波形时，在两个测试点中接入了一个负载，而这个负载的大小，会直接影响电路的状态，造成测量结果的不正确性。 　　每个示波器探头都有其输入阻抗，这个阻抗是特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：99kb
    • 提供者：weixin_38671628

  1. 一种串联谐振逆变器控制方法的探讨

  2. 本文分析了移相PWM控制串联谐振逆变器的实现。通过改变移相角来调节传送给负载的功率，对功率MOSFET输出电容的影响，提出了一种控制方案以确保功率器件在各种负载条件下实现ZVS，保证全桥拓扑结构中MOSFET的柔性切换，使开关频率紧密地跟随谐振频率，使逆变器工作在功率因数接近1的准谐振状态。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：102kb
    • 提供者：weixin_38514322

  1. 电源技术中的LDO（低压稳压器）十问

  2. 1. 什么是LDO稳压器？ 　　LDO低压差稳压器（ LowDropoutRegulator）是一种经典的稳压器，相比于传统三端固定电压稳压器，它能实现更小的输入/输出压差。理想情况下LDO能够提供固定的或是可调节的输出电压，不会因时间和温度而发生变化，并且不受线路与负载变化的影响。 　　2. LDO的主要选型标准包括哪些？ 　　输入电压范围；输出电压，固定或可调节；随线路、负载和温度变化的输出精确度；负载电流需求；压差；电源抑制比（PSRR）；输出噪声；静态电流和关断电流。 　　3.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：weixin_38543120

  1. 电源技术中的浅谈DC/DC转换器中电感器对待机时间的影响

  2. DC/DC是开关电源芯片。开关电源，指利用电容、电感的储能的特性，通过可控开关（MOSFET等）进行高频开关的动作，将输入的电能储存在电容（感）里，当开关断开时，电能再释放给负载，提供能量。其输出的功率或电压的能力与占空比（由开关导通时间与整个开关的周期的比值）有关。开关电源可以用于升压和降压。我们常用的DC-DC产品有两种。一种为电荷泵（Charge Pump），一种为电感储能DC-DC转换器。本文详细讲解了这两种DC/DC产品的相关知识。 　　相比较前几年2.8V~3.3V的核心电压需求，近

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：115kb
    • 提供者：weixin_38750644

  1. 基础电子中的单片机晶振的两个电容的作用

  2. 这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。 　　晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic(集成电路内部电容)+△C(PCB上电容)经验值为3至5pf。 　　各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。晶振引脚的内部通常是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联。在晶振输出引脚 XO 和晶振输入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38558659

  1. 浅谈DC/DC转换器中电感器对待机时间的影响

  2. DC/DC是开关电源芯片。开关电源，指利用电容、电感的储能的特性，通过可控开关（MOSFET等）进行高频开关的动作，将输入的电能储存在电容（感）里，当开关断开时，电能再释放给负载，提供能量。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38520192

  1. 功率MOS管RDS(on)负温度系数对负载开关设计的影响

  2. 介绍了功率MOS管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点。分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热不平衡从而形成局部热点的原因。实验结果表明，减小输出电容、提高功率MOS管的散热能力，可以提高系统的可靠性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：237kb
    • 提供者：weixin_38610657

  1. 电源技术中的开关电源可靠性的负载率的设计

  2. 由于负载率对可靠性有重大影响，故可靠性设计重要的一个方面是负载率的设计，根据元器件的特性及实践经验，元器件的负载率在下列数值时，电源系统的可靠性及成本是较优的。 　　（1）半导体元器件。半导体元器件的电压降额系数应在0.6以下，电流降额系数应在0.5以下。半导体元器件除了负载率之外，还有容差设计。设计开关电源时，应适当放宽半导体元器件的参数允许变化范围，包括制造容差、温度漂移、时间漂移、辐射导致的漂移等。以保证半导体元器件的参数在一定范围内变化时，开关电源仍能正常工作。 　　（2）电容器。电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：40kb
    • 提供者：weixin_38654348

  1. 电源技术中的一种串联谐振逆变器控制方法的探讨

  2. 摘要：介绍了一种电压软开关移相控制PWM感应加热串联谐振逆变器，分析了移相脉宽的调功方法，讨论了实现零电压开关的条件，提出了在各种负载条件下实现功率器件ZVS的控制策略。 关键词：脉宽调制；移相；零电压开关引言本文分析了移相PWM控制串联谐振逆变器的实现。通过改变移相角来调节传送给负载的功率，对功率MOSFET输出电容的影响，提出了一种控制方案以确保功率器件在各种负载条件下实现ZVS，保证全桥拓扑结构中MOSFET的柔性切换，使开关频率紧密地跟随谐振频率，使逆变器工作在功率因数接近1的准谐

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：83kb
    • 提供者：weixin_38733333

  1. 模拟技术中的种适用于高速高精度流水线ADC的放大器

  2. 摘要:本文提出了一种新颖的放大器结构。它由两部分组成:前面为跨导放大器,后面则是由电阻反馈形成的跨阻放大器,两种放大器的组合构成了具有高输入阻抗、低输出阻抗的电压放大器。与普通放大器不同的是,在我们设计的工作条件下,它输出端的极点几乎不受负载电容的影响。用该放大器作为预放大级,驱动一单级主放大器所构成的两级运放在负载电容为4pf的情况下实现了超过1GHz的增益带宽积,瞬态分析的结果表明它可以在10ns内达到0。01%的精度(闭环增益为8),而功耗仅有25mW,远低于同性能其他结构的放大器,非常适

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：228kb
    • 提供者：weixin_38614112

  1. 单片机晶振的两个电容的作用

  2. 这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。 　　晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic(集成电路内部电容)+△C(PCB上电容)经验值为3至5pf。 　　各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。晶振引脚的内部通常是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联。在晶振输出引脚 XO 和晶振输入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：49kb
    • 提供者：weixin_38692928

  1. 晶振与匹配电容的总结

  2. 1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。 　　2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。 　　3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：161kb
    • 提供者：weixin_38651983

  1. ROHM开发出不会因负载电容发生振荡的高速运算放大器“BD77501G”

  2. 知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款高速接地检测CMOS运算放大器“BD77501G”，非常适用于计量设备、控制设备中使用的异常检测系统、处理微小信号的各种传感器等需要高速感测的工业设备和消费电子设备。　　“BD77501G”是业界首创的支持异常检测系统等所需的高速放大（10V/?s的高转换速率），且不会因布线等的负载电容而振荡的运算放大器。以往的高速运算放大器受负载电容影响有时会产生振荡，不稳定，本产品不会发生振荡，可稳定工作。另外，在整个噪声频段，普通产品的输出电压波动达

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：250kb
    • 提供者：weixin_38693192

  1. 单片机的负载电容问题

  2. 晶振旁边两个对地电容叫晶振的，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。　　一般单片机的晶振工作于并联谐振状态，也可以理解为谐振电容的一部分。它是根据晶振厂家提供的晶振要求负载电容选值的，换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的，能限度的保证频率值的误差。也能保证温漂等误差。两个电容的取值都是相同的，或者说相差不大，如果相差太大，容易造成谐振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振 。晶振负载电容值指

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：70kb
    • 提供者：weixin_38640794
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