本文针对CMOS RF前端提出了超低压和超低功耗电路技术。 通过采用改进的重用电流的架构，低噪声放大器（LNA）可以在非常低的电源电压下工作，功耗为微瓦，同时在2.4 GHz上保持合理的电路性能。 根据仿真结果，使用TSMC 0.18 um CMOSCraft.io，完全集成的LNA在0.9 GHz的电源电压下工作时，在2.4 GHz频率下具有14.4 dB的增益和1.6 dB的噪声系数，输入匹配（S11）为-18.1 dB而仅消耗960μW。