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  1. 达林顿管相关资料简介

  2. 电机驱动电路 达林顿功率管 H桥驱动电机

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-08-02
    • 文件大小：19kb
    • 提供者：caoyaocaoyao1

  1. 达林顿管ULN2003

  2. 高耐压、大电流达林顿陈列—ULN2003 . 概述与特点 ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅NPN达林顿管组成。 该电路的特点如下： ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路 直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。 ULN2003工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受 50V的电压，输出还 可以在高负载电流并行运行。 ULN2003采用DIP—16或SOP—16 塑料封

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-10-28
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：mmsnm

  1. ULN2003中文 资料及步进电机驱动讲解

  2. ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅NPN达林顿管组成。 该电路的特点如下： ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路 直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。 ULN2003工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受 50V的电压，输出还 可以在高负载电流并行运行。 ULN2003采用DIP—16或SOP—16 塑料封装。 步进电机工作原理与编程方法和控制源程序，

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-09
    • 文件大小：461kb
    • 提供者：zhuhaiyang110

  1. 达林顿管TIP122的芯片资料

  2. 大功率达林顿管，TIP122的芯片资料，很好用的哦

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-08-07
    • 文件大小：89kb
    • 提供者：joy_hehe

  1. 达林顿管TIP127芯片的资料

  2. 大功率，达林顿管TIP127芯片的资料，很不错的哦

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-08-07
    • 文件大小：89kb
    • 提供者：joy_hehe

  1. ULN2003中文资料

  2. ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅NPN达林顿管组成。 ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路 直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。 ULN2003工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受 50V的电压，输出还 可以在高负载电流并行运行。 ULN2003采用DIP—16或SOP—16 塑料封装。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-09-05
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：jinglingfwq

  1. 达林顿管的典型应用

  2. 介绍达林顿管的应用，内容详实，有图有真相。图片有点模糊。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-30
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：lxch222

  1. 达林顿管的好坏检测

  2. 1.大功率达林顿管的检测；2.普通达林顿管的检测

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38631049

  1. 大功率达林顿管如何检测

  2. 大功率达林顿管如何检测 我们在使用万用表对普通达林顿管的检测包括以下几种：识别电极、区分pnp或npn类型、估测放大能力。考虑到达林顿管的e-b极之间包含了多个发射结这个原因，在检测过程中我们应该使用万用表能，来提供较高电压的r10k挡，进行普通达林顿......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38627603

  1. 拉电流与灌电流与达林顿管

  2. 在使用数字集成电路时，拉电流输出和灌电流输出是一个很重要的概念，在单片机中，漏电流指的是I/O口（高电平）向外输出的电流，灌电流则相反，指的是I/O口向单片机流入的电流(低电平)。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-19
    • 文件大小：80kb
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 达林顿管资料

  2. 达林顿管资料

  3. 所属分类：讲义

  1. 中大功率达林顿管版图设计

  2. 基于70 V高压双极型工艺，设计了一种中大功率达林顿阵列版图结构。该结构适用于单片高压功率器件输出级版图，采用单元阵列对称叉指结构，具有大电流驱动能力、散热均匀、稳定性好、面积利用率高等特点。叉指状发射极和基极保证了较高的速度，同时兼顾了阵列功率管的匹配性和对称性。叉指状基极的两侧式设计增大了有效发射极周长，提高了电流传导能力。改进后的等平面布线，降低了功率版图受布线台阶影响。版图设计经验证后，具有输出9 A大电流的能力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：477kb
    • 提供者：weixin_38723373

  1. 元器件应用中的达林顿电路简介及应用

  2. 两只晶体管按如图1的连接法叫做达林顿电路,其放大系数是两只三极管的放大系数的乘积. 　　什么是达林顿管 　　达林顿管是将二只三极管适当的连接（如上图所示）在一起，以组成一只等效的新的三极管，便是达林顿管，这个过程又称之为晶体管的复合，所以达林顿管又可称之为复合管 　　复合成NPN达林顿的两种方法或复合成PNP达林顿管的两种方法，结果虽然都是一样，但也有区别，如图： 　　达林顿管的作用 　　1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 　　2、驱动小型继电器 　　利用CM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：87kb
    • 提供者：weixin_38629391

  1. 元器件应用中的达林顿管的典型应用

  2. 1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 　　2、驱动小型继电器 利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。　　3、驱动LED智能显示屏 　　智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD678)型PNP达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38616033

  1. 基础电子中的达林顿管就是复合三极管

  2. 它是将两只以上的三极管的集电极连在一起，而把第一只三极管的发射极直接接到第二只三极管的基极，并以此类推而接，最后引出E、B、C三个电极。图是两只三极管组成的达林顿管。　 　 　　                                                            图:达林顿管基本电路　　达林顿管可分为普通达林顿管和带有保护功能的达林顿管(大功率达林顿管)。带有保护功能的达林顿管的内部结构如图所示。 　　                        

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：weixin_38678796

  1. 元器件应用中的大功率达林顿管参数

  2. 表列出了几种大功率达林顿管参数。                                                                 表：几种大功率达林顿管参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：weixin_38589795

  1. 元器件应用中的检测大功率达林顿管的电极及其好坏

  2. 检测大功率达林顿管的电极及其好坏，应选择万用表电阻档RxlOk档(因为达林顿管的E-B极间含多个发射结)。检测内容包括:1)识别电极;2)区分 NPN，PNP型管;3)检查放大能力。具体方法是:第一步，测B、C极间的正、反向电阻，应有明显的差别;测B、E极间的电阻，因达林顿B-E之间有两个PN结，并且接有电阻R1、R2。因此用万用表RxlOk档测出的B-E之目的正向电阻值应该是B-E结正向电阻值与R1、R2阻值并联的结果;当反向测量时，发射结截止，测出的阻值应该是(R1+R2)电阻之和，大约为几

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38576045

  1. 元器件应用中的大功率达林顿管

  2. 大功率达林顿管的保护元器件VD及均衡电阻(一般R1取几千欧，R2取几十欧)，均全部集成在管芯上，再用塑料或金属外壳进行封装，并引出相应电极。图为两种大功率达林顿管的外形。 图：大功率达林顿管的外形  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38522253

  1. 元器件应用中的达林顿管的主要特性参数介绍

  2. 达林顿管分为两类:一类是普通型达林顿管，内部无保护电路，像2W以下的中、小功率达林顿管多属此类;另一类内部带保护电路，大功率达林顿管便属此类。下表列出了硅NPN型大功率达林顿管的主要特性参数。 　　表 硅NPN型大功率达林顿管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：78kb
    • 提供者：weixin_38653385

  1. 元器件应用中的片状达林顿管主要特性参数 （SOT-23式封装）

  2. 片状达林顿管的主要特性参数见表。                                                           表：片状达林顿管主要特性参数 (SOT-23式封装)   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38621386
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