包含各类题解 及模拟试卷 复习纲要 〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要 第一章：常用半导体器件 （1） 熟悉下列定义、概念及原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。 （2） 掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。掌握其应用。 （3） 了解选用器件的原则。了解集成电路制造工艺。 第二章：基本放大电路 （1） 掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和

开关电源环路中的TL431应用.pdfpdf,开关电源环路中的TL431.pdf)4卖) 由 1na-1nb= ln 2).因此 1 312s Vr 1n6= R 从这个公式我们可以析取出电流I Vr In6 R 根据R4的值(为4829),可以计算出I1的值。 26m×1.79 ≈97A 482 得到这个电流后,集电极负载R2和R3的压降可根据欧姆定律快速计算出来。 VR2=VR3=3R2I1=R31=1.9k×97m=5.7k×97m=553m(10) 这个电压离采用SPCE计算的偏置点并不

平衡电阻的目的是为了减小运放输入偏置电流在电阻上形成的静态输入电压而带来误差详细看书。(减少失调电压)