通过微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法制备了掺硼的p型金刚石薄膜。 通过使用射频（RF）磁控溅射方法首次在p型金刚石基板上沉积n型ZnS膜来制造透明的ZnS /金刚石膜异质结二极管。 检查了器件的当前电压（IV）特性，结果显示了明显的整流特性，开启电压约为1.1V。该二极管在500 nm至800 nm波长范围内的光透射率为50-70％ 。