4×4光互连CMOS SEED智能像素中需要将1×20的光纤列阵与1×20 SEED列阵对准，我们开展了列阵光纤的制备 及与SEED器件的耦合方面的研究，利用硅V形槽技术将多模光纤安置在1×20的硅V形槽中，组成1×20的光纤列阵 。使用的光纤为多模光纤，芯径为62.5μm，包层直径为125μm，要将直径为12.5μm的光纤全部埋进V形槽中，槽 深需170μm。槽间距设计为300μm，与4×4 CM0S SEED中SEED器件的间距一致。 　　在腐蚀出V形槽以后，将槽面蒸金，从槽的末端可形成一

为了实现光纤和SEED智能像素的输出耦合，需将多根光纤按照和SEED列阵相同的间距固定为一维光纤列阵后再 和VCSEL的出光窗口进行对准。光纤定位最为简单易行的方法是把光纤放入和光纤直径相匹配的一列V形槽中，利 用V形槽的设计精度对光纤进行定位。由于各向异性腐蚀液对单晶硅不同晶向的腐蚀速率差别很大，所以，利用碱 性溶液对硅片的各向异性腐蚀就可以在硅片上形成满足光纤定位要求的大尺寸Ⅴ形槽。硅的腐蚀掩膜一般选取 SiO2和Si3N4，KOH溶液对SiO2有一定的腐蚀速率，但是对Si3N4基本上不腐蚀