ARM,Globalfoundries, IBM, 意法半导体, 法国Soitec以及法国CEA-Leti公司等公司的联盟，为了在下一代晶体管技术竞赛中位居前列，宣布了对FD-SOI技术（全耗尽型SOI技术,有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI）的*估结果和有关的参数特性，并称这项技术适合 20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品使用。并演示了基于ARM处理器上的平面型FD-SOI技术的优势。 图1 基于ARM处理器上的平面型FD-SOI技术的优势 　　FDSOI如何克服SOI的弱