使用铜蒸气辅助化学气相沉积系统可将石墨烯薄膜直接沉积在标准单模光纤上。 在生长过程之前，H2和Ar的气流对于石墨烯膜的直接沉积起着至关重要的作用，并且石墨烯的层可以通过生长时间来控制。 气流较大时，Cu原子会随气流带走，并且在生长过程之前很难沉积在单模光纤的表面上。 因此，在这种情况下获得均匀的石墨烯膜。 相反，在较低的情况下，Cu原子很容易沉积在单模光纤的表面上，并形成充当碳纳米管生长的活性催化位点的纳米点。 该方法为我们提供了一种制造光子应用的有前途的无转移技术。