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  1. 通过去除电子阻挡层并包括唯一的最后一个量子势垒,改善InGaN发光二极管中的空穴注入和载流子分布

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  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-13
    • 文件大小:640kb
    • 提供者:weixin_38747592