在InGaN / GaN多量子阱（MQW）的表面上制备了具有不同Kong隙率的阳极氧化铝（AAO）膜。 我们测量了这些样品的光致发光光谱，然后计算了光提取增强因子（E）。 发现与没有AAO覆盖的区域相比，具有AAO膜的MQW的光提取已经大大增强。 E的最大值在特定波长下达到3.5，在积分强度下达到2.29。 E随着Kong隙率的降低而增加，表明AAO薄膜中的纳米Kong结构在提高光提取效率方面起着重要作用。