报道了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaAs衬底上生长的160 nm栅长变质AlInAs / GaInAs高电子迁移率晶体管（mHEMT）的制造和性能。 通过使用新颖的光学和电子束光刻技术，已经实现了亚微米mHEMTs器件。 这些器件表现出良好的DC和RF性能。 最大电流密度为817 mA / mm，最大跨导为828 mS / mm。 非合金欧姆接触电阻R（c）低至0.02Ω-mm。 单位电流增益截止频率（f（T））和最大振荡频率（f（max））分别为146 GHz和189 GHz。