通过细金属线连接的具有微米级特征尺寸的金属电开口环谐振器（SRR）进行构图，以形成周期性分布的平面阵列。 在直接在半绝缘砷化镓（SI-GaAs）晶片上生长的n掺杂砷化镓（n-GaAs）层上制造阵列的金属SRR 。 图案化的金属微结构和n-GaAs层构成一个肖特基二极管，该肖特基二极管可以支持施加的外部电压以修改器件的性能。 所开发的体系结构具有典型的功能超材料特性，因此建议在垂直入射时揭示太赫兹波传输中的电压调节特性。 我们还演示了由阵列金属SRR组成的基于压控Fabry-Pérot的超材料器件