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搜索资源列表

  1. 太阳能光谱响应/量子效率测试解决方案

  2. 东方集成-光焱科技太阳能电池光谱响应/量子效率校正能力与2012年取得ISO/IEC 17025 （TAF）校正实验室认证，目前为全世界唯一取得此项目认证的厂家。光焱科技的QE-R系统是依据IEC和ASTM规范，并参考一级校正实验室测量程序所设计的光谱响应/量子效率测量系统，可用来测试各种不同的电池器件光谱响应/量子效率，用来改善工艺，提高转换效率。另可加装透射率、反射率测量部件，测试电池的透射率、反射率和内量子效率，并可搭配客户所需的各种载台，是太阳能电池光谱检测全方位的解决方案，目前已被各

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2012-08-23
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：enlitech

  1. 激光器微分外量子效率及内量子效率

  2. 半导体激光器微分外量子效率及内量子效率的测量

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-01-17
    • 文件大小：309248
    • 提供者：wonderfulboytt

  1. 显示/光电技术中的基于光的回归反射技术提高LED 外量子效率

  2. 摘要: LED 芯片的外量子效率受到芯片结构、荧光粉材料等多种因素的影响，其中主要原因之一就是背部金属反射层的反射率限制了出光效率。本论文提出了一种多层介质光的回归反射层结构，就是在芯片背部衬底采用这种高反射多层介质膜作为回归反射层，代替金属反射层，由于这种高反射多层介质膜比金属反射层可将LED 芯片的背部蓝光的反射率提高8% ～ 9% ，可以有效地提高LED 的外量子效率。 　　1 引言 　　LED 属于注入式电致发光器件，其外量子效率ηext定义为发射的光子数和通过LED 的电子数之比。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：48128
    • 提供者：weixin_38527978

  1. 显示/光电技术中的量子效率和响应度

  2. 量子效率可以分为内量子效率ηi和外量子效率ηo ,它是半导体光电探测器最重要的指标。内量子效率定义为吸收一个入射光子能够产生的电子-空穴对个数，即 　　由于ηi与材料的吸收系数α，以及吸收层的厚度W相关，因而可表示为［10］ 　　式中，a（λ）是对应波长λ的吸收系数。由上式可见材料的吸收系数越大，或者吸收层越厚，光电探测器的量子效率就越高。在实际的光电探测器申，光不可能直接由材料表面达到吸收区，而是要经过一定的厚度的重掺杂接触区，在这个区域内会造成一部分光子损耗，同时在光电探测器表面

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 矩形单纳米线太阳能电池中增强的外部量子效率

  2. 矩形单纳米线太阳能电池中增强的外部量子效率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38694355

  1. InGaN蓝光LED内量子效率的评测

  2. LED的内量子效率是评价LED性能的重要指标.本文详细介绍了目前针对Ga N基LED内量子效率的多种评测方法,包括:变温光致荧光方法、变激发功率光致荧光方法、变温电致荧光方法、效率-电流曲线拟合方法,并结合对实际样品的测试结果指出了他们的适用范围和局限性.其中,变温光致荧光方法和变激发功率光致荧光方法适用于测量材料的辐射复合效率且在结果上是一致的;而变温电致荧光方法从原理上就不可靠;效率-电流曲线拟合方法原理上可靠,但是依赖对样品参数的假设,在足够了解样品的基础上可以获得比较准确的结果.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38680664

  1. 具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED(英文)

  2. 对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：809984
    • 提供者：weixin_38501299

  1. 干蚀损伤对纳米棒InGaN / GaN多量子阱内部量子效率的影响

  2. 研究了干法刻蚀对InGaN / GaN纳米棒多量子阱（MQWs）内部量子效率的影响。 样品通过自组装镍纳米掩模通过电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行蚀刻，并通过室温光致发光测量进行检查。 蚀刻过程中的关键参数是射频功率和ICP功率。 纳米棒MQW的内部量子效率显示出随着射频功率从3W增加到100 W大幅降低5.6倍。但是，它受到ICP功率的轻微影响，在30W至600的宽ICP功率范围内，ICP功率显示出30％的变化。在优化的刻蚀条件下，纳米棒MQW的内部量子效率可以是生长的MQW样品的40％，纳

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38705004

  1. 经过完全溶液处理的串联式白色量子点发光二极管，外部量子效率超过25％

  2. 经过完全溶液处理的串联式白色量子点发光二极管，外部量子效率超过25％

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38630853

  1. 具有外部量子效率大于100％的二色niBin II型超晶格红外光电探测器

  2. 具有外部量子效率大于100％的二色niBin II型超晶格红外光电探测器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：499712
    • 提供者：weixin_38684806

  1. 局部掺杂调制可提高GaN基发光二极管的量子效率

  2. 局部掺杂调制可提高GaN基发光二极管的量子效率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：684032
    • 提供者：weixin_38597970

  1. NEA GaN光电阴极在反射和透射模式下的量子效率特性比较与分析

  2. 利用超高真空制备技术，对以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品进行了光电阴极制备，并利用紫外光谱响应测试仪，对所制备的基于负电子亲和势（NEA） GaN光电阴极在反射式和透射式两种工作模式下的量子效率特性进行了测试与对比分析。实验结果显示，在反射模式下，样品在240 nm处具有高达50%的量子效率，而在透射模式下量子效率最高只有15%，量子效率曲线拟合表明该样品的后界面复合速率为104 cm/s。通过分析发现，造成两种工作模式下量子效率相差较大的主要影响因素是后界面复合速率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1040384
    • 提供者：weixin_38697940

  1. 新型双吸收层光探测器量子效率的理论分析

  2. 随着光纤通信技术的发展，高量子效率、高速响应光电探测器在长距离高速光纤通信系统中的作用尤显突出。利用传输矩阵法(TMM)对新型双吸收层光电探测器(RCE-PINIP)的量子效率进行了理论计算，然后对其进行了相应的理论仿真。结果显示，在50～800 nm厚度范围内，随着双吸收层厚度逐渐变大，RCE-PINIP模型的量子效率会出现多个峰值，量子效率的峰值先增大到最大值,在两个单吸收层厚度同为325 nm时，量子效率达到98.6%，然后峰值逐渐递减。在两个单吸收层厚度分别固定为325 nm时，量子效率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38568031

  1. 钕玻璃发光量子效率的光声测量

  2. 建立了一种新的测量钕玻璃中激活离子发光量子效率的光声方法,其原理为通过测量的钕玻璃中Nd~(3+)的两个吸收峰的吸收幅值及光声信号的幅值计算出发光量子效率.所得结果与以前用其它方法估算和测得的结果相符.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38553381

  1. 用热透镜法测量(口恶)嗪1高氯酸盐的绝对荧光量子效率

  2. 本文介绍了一种利用热透镜效应测量激光染料绝对荧光量子效率的简单有效的新方法.利用此法,具体地测量了(口恶)嗪1高氯酸盐(天津市染料所生产)在不同溶剂中、不同浓度下的绝对荧光量子效率,并对该染料溶于二氯乙烷或三氯甲烷中、比溶于乙醇、水等溶剂中的绝对荧光量子效率有明显增加的异常现象作了初步讨论.认为抑制发色团原子间的振动,将是提高激光染料绝对荧光量子效率的有效途径.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38672940

  1. 休斯公司提高YAG的量子效率

  2. 据休斯公司马里布实验室的研究者德沙策（L. Deshazer)报道，经过三年半的研究后，休斯研究人员已经成功地把YAG:Nd3+的量子效率从60%左右提高到85%。量子效率是离子被泵浦到激光上能级,而后从这个能级在激光波长上发射光子的离子的百分数；量子效率增加可使总激光效率增加。对休斯公司来讲，这就意味着他们的激光测距仪和靶标指示器可用较小的电池组，而对于一般激光制造商来讲，意味着对给定的激光器，可以产生更高的激光功率。但他告诫说，这种实验室量子效率的新进 展,还没有真正变成激光效率的增加。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38557768

  1. 陷阱辅助的光电倍增聚合物光电探测器获得37,500％的外部量子效率

  2. 陷阱辅助的光电倍增聚合物光电探测器获得37,500％的外部量子效率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38570278

  1. 指数掺杂结构对透射式GaAs光电阴极量子效率的影响研究

  2. 通过在一维连续性方程光电子产生函数项中加入短波约束因子，修正了指数掺杂和均匀掺杂透射式GaAs光电阴极量子效率公式。利用修正的透射式阴极量子效率公式分别拟合制备的指数掺杂和均匀掺杂透射式阴极量子效率，实验曲线符合得很好。另外拟合得到的阴极性能参数表明，由于内建电场的作用，指数掺杂阴极的性能要好于均匀掺杂阴极，指数掺杂结构能够明显提高透射式阴极的量子效率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：406528
    • 提供者：weixin_38645669

  1. NEA GaN光电性能参数对量子效率的影响

  2. NEA GaN光电性能参数对量子效率的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：338944
    • 提供者：weixin_38738983

  1. 负电子亲和势光电阴极量子效率公式的修正

  2. 负电子亲和势光电阴极量子效率公式的修正

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：225280
    • 提供者：weixin_38675465
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