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  1. 硅的性质及有关半导体基础理论.pdf

  2. 硅的性质及有关半导体基础理论pdf,本文主要讲了有关硅的性质及有关半导体基础理论。1)硅在地壳中的含量仅次于氧 氧48.60 硅26.30 钾247% 铝7.73 镁2.00% 铁4.75% 氢0.76% 钙3,45% 其他1.20 钠2.74% (2)硅以化合态形式存在 (氧化物及硅酸盐) 硅的物化性质 1、硅晶伓是灰色的硬而相当脆的晶体,密度为2.4g/cm3,熔点为 1420℃,沸点为2360℃。 2、硅在常温下,仅与氟发生作用,在高温下硅能与氯、氧、水蒸 气等作用,生成sicl4、si
  3. 所属分类:其它

  1. 金属晶体与离子晶体

  2. 高中化学教学课件,设计到中学化学常见的物质结构模型分类及晶胞的代表物质
  3. 所属分类:数据库

    • 发布日期:2015-06-02
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:dianzibaiban
  1. 基础电子中的锂电池电路设计

  2. 锂离子电池以其优良的特性,被广泛应用于: 手机、摄录像机、笔记本电脑、无绳电话、电动工具、遥控或电动玩具、照相机等便携式电子设备中。   一、锂电池与镍镉、镍氢可充电池:   锂离子电池的负极为石墨晶体,正极通常为二氧化锂。充电时锂离子由正极向负极运动而嵌入石墨层中。放电时,锂离子从石墨晶体内负极表面脱离移向正极。所以,在该电池充放电过程中锂总是以锂离子形态出现,而不是以金属锂的形态出现。因而这种电池叫做锂离子电池,简称锂电池。   锂电池具有:体积小、容量大、重量轻、无污染、单节电压高、
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:178kb
    • 提供者:weixin_38559727
  1. 电源技术中的锂电池充电电路原理及应用

  2. 锂离子电池以其优良的特性,被广泛应用于: 手机、摄录像机、笔记本电脑、无绳电话、电动工具、遥控或电动玩具、照相机等便携式电子设备中。   一、锂电池与镍镉、镍氢可充电池:   锂离子电池的负极为石墨晶体,正极通常为二氧化锂。充电时锂离子由正极向负极运动而嵌入石墨层中。放电时,锂离子从石墨晶体内负极表面脱离移向正极。所以,在该电池充放电过程中锂总是以锂离子形态出现,而不是以金属锂的形态出现。因而这种电池叫做锂离子电池,简称锂电池。   锂电池具有:体积小、容量大、重量轻、无污染、单节电压高、
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-07
    • 文件大小:179kb
    • 提供者:weixin_38558246
  1. 晶体知识点归纳

  2. 晶体,晶格,格点,晶胞,晶胞参数离子晶体原子晶体金属晶体分子晶体晶格点微粒正,负离子原子金属原子或离子分子微粒间作用力离子键共价键金属键分子间力熔点,沸点较高高一般较高,部分低低硬度较大大一般较大,部分小小延展性差差良差导电性水溶液或熔融态易导电绝缘体良导体绝缘体实例NaCl等离子化合物金刚石金属单质干冰,冰1.3 晶体结构2004-7-62004-7-6晶体结构离子晶体原子晶体分子晶体金属晶体过渡型晶体2004-7-6晶体结构离子晶体原子晶体分子晶体金属晶体过渡型晶体离子晶体离子晶体晶体配位数
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    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:30kb
    • 提供者:weixin_38748263
  1. Ge离子注入Ge纳米晶体/ SiO2纳米复合薄膜的介电工程:建模与测量

  2. 利用离子注入技术合成了Ge纳米晶(nc-Ge)嵌入的SiO2纳米复合薄膜。 可以通过改变锗离子注入过程中的注入能量和剂量来调整nc-Ge在SiO2基体中的分布曲线。 因此,可以设计nc-Ge / SiO2纳米复合薄膜的有效介电常数。 纳米复合薄膜的有效金属氧化物半导体导通(MOS)电容已使用子层模型和Maxwell-Garnett有效介质近似值进行了计算,并考虑了与nc-Ge纳米尺寸相对应的降低的介电常数。 另一方面,已经对基于nc-Ge / SiO 2薄膜的MOS结构进行了电容电压测量,以通过
  3. 所属分类:其它

  1. YAG晶体色心的EPR谱

  2. 本文描述了8种YAG样品的室温和77K的EPR谱.从这些谱的参数与光谱的实验数据对照,认为晶体中有三种顺磁性的色心,其中g~2.00和g~1.98两条顺磁谱相应于光谱2×104cm-1~3.4×104cm-1的吸收带,为YAG基质晶体中的缺陷俘获一个电子构成的电子型缺陷中心;而 g~30.60的顺磁谱线与氧空位和掺杂的金属离子Mg2+ 、Cr3+有关,推测为氧空位团或氧空位与金属离子构成的S>1/2的复合顺磁中心缺陷.YAG晶体随着在大气氛中高温退火,氧的进入和金属离子的掺入,造成电子和空
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    • 发布日期:2021-02-13
    • 文件大小:952kb
    • 提供者:weixin_38624183
  1. ZnSiF

  2. 研究了过渡金属络合物ZnSiF66H2O∶Fe2+晶体光谱结构的杨特勒效应和电子顺磁共振g因子。由单晶的中子衍射方法得到ZnSiF66H2O∶Fe2+的晶体结构,这种结构可以用SiF2-6和Zn(H2O)++∶Fe2+两个离子来描述。而局域三角对称的Zn(H2O)++∶Fe2+离子反映了这种晶体的主要光谱性质。利用不可约张量的理论构成了晶体场和自旋轨道相互作用哈密顿矩阵和电子顺磁共振理论公式,求出了晶体ZnSiF66H2O∶Fe2+中Fe2+离子的电子顺磁共振零场分裂参量(D,F-a)及g因子,
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    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:781kb
    • 提供者:weixin_38661800
  1. 晶体NiX

  2. 在强场耦合图像中,采用双自旋-轨道耦合(SO)参量模型建立了过渡族3d2(3d8)离子的三角对称下全组态光谱能级和电子顺磁共振(EPR)公式。与经典的晶体场理论(仅考虑中心金属离子的自旋-轨道耦合作用)相比较,该公式还包括了配体离子的自旋-轨道耦合作用的贡献,这一模型在应用于计算共价性较强的晶体光谱和电子顺磁共振谱可得到合理的结果。作为验证,用完全对角化方法研究了晶体NiX2 (X=Cl,Br,I)的光谱和电子顺磁共振谱,结果表明,理论与实验很好地符合。建立的全组态谱能级和电子顺磁共振公式为更精
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    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:377kb
    • 提供者:weixin_38556205
  1. End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性

  2. 利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜,离子源分别为End-Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏振仪(V-VASE)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、ZYGO干涉仪和激光量热计测试了薄膜的透射光谱、光学常数、晶体结构、表面形貌和吸收(1064 nm)。实验结果表明,薄膜特性与辅助离子源及起始膜料有着密切的关系。End-Hall离子源辅助沉积制备的薄膜出现轻微的折射率不均匀性。两种离子源辅助沉积制备的薄膜折射率均较高,吸收损耗
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  1. 激光晶体Y

  2. 本文报道了具有D3d格位对称性的过渡金属络合离子团[CrO6]9-的自旋非限制MS-Xα计算结果.给出了单电子本征值与本征函数.讨论了激光晶体Y3Ga5O12:Cr3+的电子结构.用Slater过渡态方法计算了晶场分裂参数10Dq及晶场低对称畸变引起的电子能级分裂值及一些反映局域电子结构的参数.计算结果与实验符合较好.
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  1. 锂电池电路设计

  2. 锂离子电池以其优良的特性,被广泛应用于: 手机、摄录像机、笔记本电脑、无绳电话、电动工具、遥控或电动玩具、照相机等便携式电子设备中。   一、锂电池与镍镉、镍氢可充电池:   锂离子电池的负极为石墨晶体,正极通常为二氧化锂。充电时锂离子由正极向负极运动而嵌入石墨层中。放电时,锂离子从石墨晶体内负极表面脱离移向正极。所以,在该电池充放电过程中锂总是以锂离子形态出现,而不是以金属锂的形态出现。因而这种电池叫做锂离子电池,简称锂电池。   锂电池具有:体积小、容量大、重量轻、无污染、单节电压高、
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:203kb
    • 提供者:weixin_38607026