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  1. 带RTC的I2C总线铁电存储器FM31256的设计.doc

  2. FM31256是一种基于I2C总线、采用铁电体技术的多功能存储芯片。除了非易失存储器外,该器件还具有实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器、可锁定的串行数字标识等多种功能。文章主要介绍了FM31256的基本功能、原理,并结合实例给出了其在电磁铸轧电源控制装置中的具体应用方法。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-12-01
    • 文件大小：69kb
    • 提供者：dreamintheday

  1. 单片机接口技术实用子程序

  2. 第1 章 单片机 I/O 接口的扩展 ................................................................. 1 1.1 单片机应用系统 ........................................................................... 2 1.1.1 单片机系统概述 ..........................................................

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-08-28
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：mjy974751615

  1. 带RTC的I2C总线铁电存储器FM31256的设计

  2. FM31256是一种基于I2C总线、采用铁电体技术的多功能存储芯片。除了非易失存储器外,该器件还具有实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器、可锁定的串行数字标识等多种功能。文章主要介绍了FM31256的基本功能、原理,并结合实例给出了其在电磁铸轧电源控制装置中的具体应用方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：149kb
    • 提供者：weixin_38618094

  1. 存储/缓存技术中的新一代存储技术特点、比较和研发进展介绍

  2. 近十年来，在高速成长的非易失性存储器（NVM）市场的推动下，业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术，以替代闪存技术，更有效地缩小存储器，提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电RAM（FRAM）、磁性RAM（MRAM）、相变RAM（PRAM）或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。 　　新一代存储技术显现 　　“多、快、省”特点 　　MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力及动态随机存储器（DRAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：86kb
    • 提供者：weixin_38608873

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的火灾自动报警系统中FM3164的使用

  2. FM3164是RAMTRON公司推出的新一代非易失性铁电存储器，采用I2C总线，是集串行存储器、实时时钟、看门狗、复位电路、低电压检测等多种功能于一体的强大芯片。与其他串行存储器相比，FM3164具有没有写延时，读写次数可达上百亿次，速度快，功耗低等优点。主要介绍FM3164的组成原理和基本功能，并结合它在火灾自动报警系统的应用给出实际应用方法，实现报警过程中信息快速、准确的存储。 　　1 FM3164的基本结构及内部原理 　　FM3164采用铁电晶体材料，这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：470kb
    • 提供者：weixin_38718413

  1. 基于铁电存储器工作原理和器件结构

  2. 1 铁电存储器简介 　　随着IT技术的不断发展，对于非易失性存储器的需求越来越大，读写速度要求越来越快，功耗要求越来越小，现有的传统非易失性存储器，如EEPROM、FLASH等已经难以满足这些需要了。 　　传统的主流半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态存储器SRAM(Static Random Access Memory)和动态存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。RAM类型的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：222kb
    • 提供者：weixin_38685961

  1. 铁电存储器的技术原理

  2. 铁电存储器（ＦＲＡＭ）能兼容ＲＡＭ的一切功能，并且和ＲＯＭ技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的ＲＡＭ。 　　相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类－－易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器ＳＲＡＭ和动态存储器ＤＲＡＭ。ＳＲＡＭ和ＤＲＡＭ在掉电的时候均会失去保存的数据。ＲＡＭ类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38600460

  1. 几种新型非易失性存储器

  2. 引 言 　　更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时问、更低成本和更高可靠性是存储器设计和制造者追求的永恒目标。根据这一目标，人们研究各种存储技术，以满足应用的需求。本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 　　铁电存储器(FeRAM) 　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：128kb
    • 提供者：weixin_38690376

  1. 铁电存储器原理及应用比较

  2. 摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列单片机的实际接口，着重分析与使用一般SRAM的不同之处。 关键词：铁电存储器 FRAM原理 8051 存储技术1 背景铁电存储技术最在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：91kb
    • 提供者：weixin_38707826

  1. 铁电存储器原理及应用

  2. 铁电存储器原理及应用 空军雷达学院科研部 孙树印 背景铁电存储技术早在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35 m工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可达256K位。FRAM原理FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：88kb
    • 提供者：weixin_38590775

  1. 铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中应用

  2. 1、铁电存储器技术原理、特性及应用 美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于整个物理过

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：133kb
    • 提供者：weixin_38729108

  1. 铁电存储器FM3808在TMS320VC5402系统中的应用

  2. 摘要：FM3808是Ramtrom公司生产的新型超低功耗非易失铁电存储器，该器件可支持对存储区的高速读写，并可进行近乎无限次的写入。FM3808内部除具有256kB的存储阵列外还集成了实时时钟和系统监控模块，因而功能十分强大。文中介绍了FM3808的性能特点、内部结构和工作原理，分析了TMS320VC5402 DSP的并行引导装载模式。给出了DSP与FM3808组成的并行引导接口方案。      关键词：铁电存储器 数字信号处理器 并行引导装载模式 FM3808 1 引言 铁电存储器（F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：137kb
    • 提供者：weixin_38691641

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的带RTC的I2C总线铁电存储器FM31256

  2. 摘要 FM31256是一种基于I2C总线、采用铁电体技术的多功能存储芯片。除了非易失存储器外，该器件还具有实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器、可锁定的串行数字标识等多种功能。文章主要介绍了FM31256的基本功能、原理，并结合实例给出了其在电磁铸轧电源控制装置中的具体应用方法。关键词 I2C总线 铁电体技术 RTC MSP430F 　　FM31256是由Ramtron公司推出的新一代多功能系统监控和非易失性铁电存储芯片。与其他非易失性存储器比较，它具有如下优点： 读/写速度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：179kb
    • 提供者：weixin_38741950

  1. MCS196系列单片机分类与选型指南

  2. 摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列单片机的实际接口，着重分析与使用一般SRAM的不同之处。 　　关键词：铁电存储器 FRAM原理 8051 存储技术　　1 背景　　铁电存储技术最在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：214kb
    • 提供者：weixin_38657465

  1. 铁电存储器FM24C16原理及在多MCU系统中应用

  2. 1　铁电存储器技术原理、特性及应用美国Ramtron公司铁电存储器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体（RAM）和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于整个物理过程中没

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：220kb
    • 提供者：weixin_38536267