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  1. 2020 408考研大纲-计算机学科专业基础综合.pdf

  2. 2020 408考研大纲-计算机学科专业基础综合考试大纲,计算机学科专业基础综合考试大纲3能够运用所学的提作统原覆方法与技术分析间题和解庆到 题,并能利用 输出(1O)系的 慨述 o累统基*概魯 )操作系 念特征,进能 的酸务 各:里盘,鼠标 展与分步 2.输出设备:示器 3.外字储器:硬盘车储器盘阵列光盘存蜻器 三)操作系缆的运行环境 1,内核态与用户态 2.中断、异常 O接口(1O控制 3.系统调用 接口功能和基本结构 口其址 体系错动 (四)LO方式 进程管理 (一)进程与线程 程序中断方
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-07-14
    • 文件大小:758kb
    • 提供者:qq_26632895
  1. 铁电性基础

  2. 铁电性基础。。。 铁电物理。。。 大学生课堂课件。。。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2011-09-18
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:whh1235068
  1. 基础电子中的磁珠、电感和零欧电阻的区别

  2. 导读:本文介绍了一下磁珠、电感和零欧姆的基本定义,并简单分析了三者的区别。       磁珠       磁珠(ferrite bead)的材料是铁镁或铁镍合金,这些材料具有有很高的电阻率和磁导率,在高频率和高阻抗下,电感内线圈之间的电容值会最小。磁珠通常只适用于高频电路,因为在低频时,它们基本上是保有电感的完整特性(包含有电阻性和电抗性分量),因此会造成线路上的些微损失。而在高频时,它基本上只具有电抗性分量(jωL),并且抗性分量会随着频率上升而增加。象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:111kb
    • 提供者:weixin_38751512
  1. 电源技术中的元器件基础知识:常用电容器的分类和特点

  2. 铝电解电容器     电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制等方面。     下面介绍一下常用电容器的分类和特点:     1. 陶瓷电容器:     用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是:体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大,但损耗和温度系数较大,适用于低频电路。     2. 铝电解电容器:     它是由铝圆筒做负极、里
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:51kb
    • 提供者:weixin_38694674
  1. RAMTRON扩展VERSA 8051产品系列推出2KB铁电存储器微控制器

  2. F-RAM和Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。       Ramtron战略市场拓展经理David Lee称:“我们针对需要
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:51kb
    • 提供者:weixin_38571878
  1. RAMTRON扩展VERSA 8051系列推出2KB铁电存储器MCU

  2. 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。       
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:95kb
    • 提供者:weixin_38643141
  1. RAMTRON扩展非易失性状态保存器系列 推出全新4位器件

  2. 非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。        FM111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5V的FM1110;以及工作
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:81kb
    • 提供者:weixin_38748769
  1. Ramtron最新并行存储器FM21L16具备2Mb非易失性RAM

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出2兆位并行存储器产品,进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM,具有访问速度快、NoDelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM(SRAM)管脚兼容,其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。   FM21L1
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-01
    • 文件大小:83kb
    • 提供者:weixin_38713717
  1. RAMTRON扩展其非易失性状态保存器系列功能

  2. 非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。   FM111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5V的FM1110;以及工作电压为3V
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-01
    • 文件大小:51kb
    • 提供者:weixin_38672800
  1. RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L307

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。     Ramtron战
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-30
    • 文件大小:89kb
    • 提供者:weixin_38733245
  1. RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L3072

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。   Ramt
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-06
    • 文件大小:89kb
    • 提供者:weixin_38628429
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的RAMTRON推出2KB铁电微控制器 VRS51L3072

  2. 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。   Ramtron
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-06
    • 文件大小:65kb
    • 提供者:weixin_38685882
  1. RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器

  2. 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。   Ramtro
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-06
    • 文件大小:76kb
    • 提供者:weixin_38737366
  1. RAMTRON 推出2KB铁电存储器微控制器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。   F-RAM能够消除Flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及Flash/EEP
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-06
    • 文件大小:67kb
    • 提供者:weixin_38734506
  1. Ramtron推出业界首个4兆位非易失性FRAM存储器

  2. 非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-06
    • 文件大小:59kb
    • 提供者:weixin_38700430
  1. RAMTRON发布2KB铁电存储器微控制器VRS51L3072

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。   Ramtron战略市场
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-05
    • 文件大小:75kb
    • 提供者:weixin_38722348
  1. RAMTRON发布2KB铁电存储器微控制器

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。   Ramtron战略市场拓展经理
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-05
    • 文件大小:75kb
    • 提供者:weixin_38569109
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L307...

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。     Ramtron
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:86kb
    • 提供者:weixin_38592332
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Ramtron推出4位非易失性状态保存器FM1110/2/4

  2. 非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation最近宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。     FM111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5V的FM1110;以及工作电压为3
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:52kb
    • 提供者:weixin_38747592
  1. 元器件基础知识:常用电容器的分类和特点

  2. 铝电解电容器     电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制等方面。     下面介绍一下常用电容器的分类和特点:     1. 陶瓷电容器:     用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是:体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大,但损耗和温度系数较大,适用于低频电路。     2. 铝电解电容器:     它是由铝圆筒做负极、里
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-13
    • 文件大小:52kb
    • 提供者:weixin_38603936
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