利用溶胶凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1∶3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量，实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6 pm/V，掺K的r51值为58.5 pm/V。并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫曾德尔型SBN60薄膜波导调制器，计算出在633 nm时，掺K比例为1∶3的此种波导调制器半波调制电压值为10 V，不掺K的半波电压值为16 V，结