我们研究边界和拓扑结构对电荷和电流密度的真空期望值（VEV）的综合影响，该电荷期望值和电流密度限制在由磁通量穿过的圆锥形环上的大量二维铁电离子场。 对于实现Clifford代数的两个不等价不可约表示的场，考虑了环边缘上不同类型的边界条件。 讨论了相关的束缚态和零能铁离子模式。 明确提取了电荷和方位电流密度对VEV的边沿贡献，并考虑了它们在各种渐近极限下的行为。 在环边缘上，方位电流密度等于电荷密度或具有相反的符号。 我们表明，电荷和电流密度的绝对值随平面角缺陷的增加而增加。 根据边界条件，VEV