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  1. 嵌入式系统/ARM技术中的上海微系统所研制成功的8英寸键合SOI晶片

  2. 中科院上海微系统与信息技术研究所日前宣布，由王曦研究员领导的SOI研究小组，在上海新傲科技有限公司研发平台上，通过技术创新，制备出我国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。 　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所原名中国科学院上海冶金研究所，是中国着名的技术学科综合性研究所之一。2001年8月，根据研究所近年来科研领域的变迁和科技发展战略目标的调整，经中国科学院和国家有关部门批准将所名更改为中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 　　该研究小组过去建立了我国第一条高端

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38663151

  1. 电子测量中的si键合空洞的检测

  2. 键合面积是衡量键合好坏的一项重要的技术指标，在预键合和高温退火后键合界面有时会存在一些空洞。空洞对键合成功存在很大的影响，如果这些空洞没有被及时发现，将给后道工序带来严重的问题，并降低成品率。不仅使该部分不能作为器件的工作区（如P-N或N--N+键合），而且会在制作器件的后序工艺中导致该部分两键合片的分离（如键合SOI）。因此，对键合硅片进行键合工艺检测是必要的，而且是工艺过程的一种重要的监测手段。目前，一般采用的非破坏性检测空洞的方法主要有三种：x射线拓扑测量（XRT）、反射超声波图像和红外透

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：37kb
    • 提供者：weixin_38708461

  1. 硅-硅直接键合工艺

  2. 硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起，再经过高温退火处理，使键合界面发生物理化学反应，形成强度很大的化学共价键连接，增加键合强度而形成一个整体。该技术具有工艺简单，两键合硅片的晶向、电阻率和导电类型可自由选择，与半导体工艺完全兼容，并且键合强度大，键合后的界面可以承受磨片、抛光和高温处理等优点。自1985年Lasky首次报道以来，该技术得到广泛重视与快速发展[1]。如今，硅-硅直接键合技术已经广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件等领域[2]。 硅-硅直

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38690095

  1. 硅-硅直接键合技术的特点和发展

  2. 硅-硅直接键合技术（Silicon direct bonding, SDB）是键合技术中提出较晚，但是发展最为迅速，人们研究最多，应用最广泛和最为重要的键合技术之一。硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起，再经过高温退火处理，使键合界面发生剧烈的物理化学反应，形成强度很大的化学共价键连接，增加键合强度而形成统一整体。硅-硅直接键合技术是IBM公司的Lasky等人在1985年的国际电子器件年会上首先提出[5]，主要目的是提出了一种制备高质量的SOI（Silic

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：39kb
    • 提供者：weixin_38698539

  1. SOI材料和功率器件衬底

  2. SOI衬底材料用于制备高速、高抗辐射和低功耗器件和大规模集成电路（IC），与其它材料相比它具有速度高、抗辐射性强、功耗小等优点，应用于军事和航天等特殊领域，但是SOI衬底材料制备困难，成本高[8]。目前，制备SOI材料常用的技术有三种[9]：在蓝宝石衬底上的异质外延技术（SOS）、氧离子注入隔离技术（SMIOS）、硅-硅直接键合技术（SDB）。异质外延工艺是在与硅材料晶格结构相近的绝缘材料蓝宝石上面外延一层单晶硅。由于蓝宝石和硅的晶格结构的不完全相同导致硅外延层中缺陷密度高，在外延的界面处产生应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38618746

  1. PCB技术中的硅-直接键合技术的应用

  2. 硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件，按照结构又可以分为两大类：一类是键合衬底材料，包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的类外延的疏水键合N+-N-或N+-P-衬底，发光器件衬底等；另一类是形成键合的器件结构，包括MEMS器件的各种密封腔和高压功率器件。   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：21kb
    • 提供者：weixin_38660058

  1. SOI的发展和特点

  2. 绝缘体上硅(SOI)技术已有30多年的历史，它开始于20世纪60年代的蓝宝石上异质外延硅(SOS)。SOI技术的发展可以分为3个阶段[27~29]：第一阶段是在20世纪60年代，蓝宝石上异质外延硅（SOS）技术制备SOI材料，用于开发微处理器电路；第二阶段出现在20世纪80年代初期，提出了在硅衬底上离子注入氧原子，再经过高温退火使氧与硅原子发生反应生成一层SiO2，SiO2上面是一层很薄的硅层，这就是注氧隔离技术（SIMOX）, 主要开发了作为抗辐射器件的SRAM；第三阶段在20世纪80年代中期

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38529397

  1. 键合SOI

  2. 硅-硅直接键合制备SOI材料的主要工艺过程是: (1)键合，将两个硅抛光片（其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理，然后在室温下贴合在一起，通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起, 最后把预键合好的硅片在干氧气氛中热处理, 使键合界面发生复杂的物理化学反应，生成键合强度很大的共价键使键合的硅片成为一个整体；(2)减薄，减薄器件有源区硅层到微米甚至亚微米厚度, 这样就得到了所需的SOI材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面颗粒可影响键合的质量, 会在界面产生空洞和应力。实验证明, 亲

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38631329

  1. 智能剥离技术（Smart-cut）

  2. Smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术，即在键合的一片晶片上注入氢离子，然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500℃时，氢离子注入处会形成连续的空腔，从而自动剥离形成SOI结构。键合SOI最大缺点是难以获得较薄（< 100 nm）的硅膜, 这就限制了其在高速ULSI、低压、低功耗方面的应用。为了解决这一问题，M. Bruel等提出的利用键合技术的智能剥离技术（Smart-cut）获得超薄的硅层[31],由于该项技术在超薄硅层制备方面的优势，得到了迅速的发展

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38715048

  1. 电源技术中的智能功率电路

  2. 智能功率电路是指在一个芯片上把电压的CMOS的VLSI CPU、逻辑电路和模拟电路和高压功率器件集成在一起。目前，智能功率电路的集成度还很低，只是几个逻辑电路和高压功率器件集成在一起。SOI衬底可以灵活的把双极性器件、高压器件、低压器件、SOI器件或其它器件集成在同一个芯片上。图1.28[45]给出了一个改进后的智能功率电路的工艺流程。 图1.28 键合智能功率电路 （1）在低掺杂的n-硅片上局部腐蚀，形成深度~3μm的浅槽，离子注入在浅槽的底部的下面形成N+的掩埋层。接着，热氧化使硅片的表面

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38674223

  1. SOI大截面单模脊形X型分支波导的研制

  2. 报道了硅片直接键合(SDB)SOI大截面单模脊形互型分支波导的研制.对于波长为1.3 μm的光,在θ=2°小分支角时,这种分支波导的通道串音小于-20 dB,辐射损耗小于0.3 dB.直通传输损耗小于0.85 dB/cm.

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  1. SOI波长信号分离器的研制

  2. 根据大截面单模脊形波导理论和双模干涉机制，在硅片直接键合、背面抛光减薄的SOI材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出SOI波长信号分离器，在波长为1.3 μm时，其插入损耗为4.81 dB，串音小于-18.6 dB。

  3. 所属分类：其它

  1. SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成

  2. 成熟的CMOS 技术可制备无源光学器件，但高效光源和高性能光探测仍需要III~V 族半导体材料。综述了近期III~V 族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术，按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP 光电探测器与SOI 波导集成的光耦合方案，并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP 光电探测器，用时域有限差分（FDTD）法对器件光学特性进行了模拟，以SOI 上有机键合的方式，获得95%的探测

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  1. 上海微系统所研制成功的8英寸键合SOI晶片

  2. 中科院上海微系统与信息技术研究所日前宣布，由王曦研究员领导的SOI研究小组，在上海新傲科技有限公司研发平台上，通过技术创新，制备出我国片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。 　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所原名中国科学院上海冶金研究所，是中国着名的技术学科综合性研究所之一。2001年8月，根据研究所近年来科研领域的变迁和科技发展战略目标的调整，经中国科学院和国家有关部门批准将所名更改为中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 　　该研究小组过去建立了我国条高端硅基集成

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38650629