使用第一性原理方法，我们研究了被单个Si原子吸收的Z字形硅纳米带（ZSiNRs）的磁性能和热旋效应。 松弛后，形成稳定的哑铃状结构，该结构在两个之字形边缘之间引起较弱的反铁磁（AFM）耦合。 因此，打开了带隙，同时吸附的ZSiNRs显示出自旋半导体性质。 可以同时获得吸附的ZSiNR基器件中的大自旋热功率和弱电荷热功率，这归因于自旋上升和自旋下降透射光谱相对于费米能级的近乎完美的镜像对称性