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  1. CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法

  2. CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-08-13
    • 文件大小:2mb
    • 提供者:zhou3007204029
  1. CMOS电路中的闩锁效应研究

  2. 闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS 结构中的闩锁效应的起因, 提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测 试方法。最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-10-14
    • 文件大小:212kb
    • 提供者:zjl840928
  1. CMOS电路结构中的闩锁效应

  2. CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日 益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发, 会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-10-14
    • 文件大小:436kb
    • 提供者:zjl840928
  1. 闩锁效应的详细讲解,关于闩锁效应很好的一个课件

  2. 关于闩锁效应很好的一个课件,是我在网上下载整理的很好的东西,希望多大家有用,顺便赚点分
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-12-16
    • 文件大小:71kb
    • 提供者:liming7516
  1. 闩锁效应的产生保护措施,以及工艺的防止

  2. 闩锁效应的产生保护措施,以及工艺的防止。很好的东西,希望对大家有用
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-12-16
    • 文件大小:436kb
    • 提供者:liming7516
  1. CMOS集成电路的闩锁效应

  2. 在CMOS集成电路的使用中,对CMOS集成电路的闩锁效应应特别加以重视。根据中国空间技术研究院1987~1990年卫星用CMOS集成电路失效模式和失效机理分布统计,因闩锁效应造成的CMOS集成电路失效数占总失效数的27.5%。因此,了解CMOS集成电路的闩锁效应,预防CMOS集成电路闩锁效应的发生,对提高产品的可靠性具有十分重要的意义。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2011-07-29
    • 文件大小:362kb
    • 提供者:truthxcy
  1. 基于响应面法炮尾炮闩6_稳健优化设计_项立银

  2. 基于响应面法炮尾炮闩6_稳健优化设计_项立银
  3. 所属分类:Informix

    • 发布日期:2014-09-11
    • 文件大小:294kb
    • 提供者:qq_20641931
  1. CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法

  2. CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2018-09-01
    • 文件大小:3mb
    • 提供者:southwave
  1. CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施.doc

  2. CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施,内容不太多,但是比较有针对性,从元器件设计工艺到元器件使用都有介绍,希望能对各位的设计使用有帮助
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2020-05-04
    • 文件大小:816kb
    • 提供者:g122159835
  1. 圆筒锁闩锁 (针对需要 UL 认证的市场)[手册].pdf

  2. 圆筒锁闩锁 (针对需要 UL 认证的市场)[手册]pdf,
  3. 所属分类:其它

  1. 闩锁的资料汇总

  2. 集成电路设计中 闩锁的资料汇总, 对闩锁的产生和解决方案进行了说明。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2011-11-06
    • 文件大小:5mb
    • 提供者:xklwj
  1. 闩锁效应(latch)

  2. Latch up 的定义,Latch up 的原理,详细的讲解了闩锁效应,值得一看
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2013-10-15
    • 文件大小:122kb
    • 提供者:evah_0525
  1. 简单介绍SQL Server里的闩锁

  2. 我们探讨了SQL Server里的闩锁,以及如何使用DMV sys.dm_os_wait_stats 和sys.dm_os_latch_stats进行闩锁等待的故障排除,需要的朋友可以参考下
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-09-10
    • 文件大小:150kb
    • 提供者:weixin_38720009
  1. 显示/光电技术中的寄生双极型晶体管闩锁效应的影响

  2. 闩锁效应(Latch-Up Effect)。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示,存在于MOS晶体管结构中的两个寄生双极晶体管各自的基极分别与对方的集电极相连,形成了四层的晶闸管的结构。当其中一个晶体管的基-射结电压超过约0.6V时,晶问管将开启,从而导致yDD与yss短路,电路将失去功能。器件甚至可能被大电流所产生的热量所损坏。由于外延层掺杂浓度的减小,PNP晶体管基区Gummel值变小,相应的提高了PNP晶体管的电流增益。同时NPN晶体管的集电极的串联电阻Rev也会随
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:88kb
    • 提供者:weixin_38517113
  1. 简单介绍SQL Server里的闩锁

  2. 在今天的文章里我想谈下SQL Server使用的更高级的,轻量级的同步对象:闩锁(Latch)。闩锁是SQL Server存储引擎使用轻量级同步对象,用来保护多线程访问内存内结构。文章的第1部分我会介绍SQL Server里为什么需要闩锁,在第2部分我会给你介绍各个闩锁类型,还有你如何能对它们进行故障排除。 为什么我们需要闩锁? 闩锁首次在SQL Server 7.0里引入,同时微软首次引入了行级别锁(row-level locking)。对于行级别锁引入闩锁的概念是非常重要的,不然的话在内存中
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-15
    • 文件大小:150kb
    • 提供者:weixin_38502639
  1. 电源技术中的防止ESD引起器件闩锁的电源断路器

  2. 在某些情况下,ESD(静电放电)事件会毁坏数字电路,造成闩锁效应。例如,受到 ESD 触发时,通常构成 CMOS 器件中一部分的寄生晶体管会表现为一个 SCR(可控硅整流器)。一旦 ESD 触发, SCR 会在 CMOS 器件的两部分之间形成一个低阻通道,并严重导电。除非立即切断电路的电源,否则器件就会被损坏。人体交互产生的 ESD 是手机和医疗设备中遇到的大问题。为了有足够的 ESD 防护,多数医疗设备和工业设备都需要为 ESD 电流设置一个接地回路。而在实际生活中,移动设备可以对付没有合适的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-13
    • 文件大小:69kb
    • 提供者:weixin_38665193
  1. LFLogging:基于PCM的大数据管理系统的无闩锁记录方案

  2. 大数据由于其大容量和大速度的特性而给数据库系统带来了新的挑战。 特别是,数据的快速到达(即很快到达)要求数据库系统必须提供有效的解决方案来处理连续到达的查询。 但是,传统的基于磁盘的DBMS在维护数据库一致性方面有很大的开销。 这主要是由于传统DBMS内部的日志记录,锁定和闩锁机制所致。 在本文中,我们旨在通过使用诸如PCM之类的新型存储介质来减少DBMS的日志记录开销。 特别是,我们提出了一种名为LFLogging的无闩锁的日志记录方案。 它在基于磁盘的DBMS中使用PCM进行更新和事务记录。
  3. 所属分类:其它

  1. 单粒子翻转宽容闩与并行节点

  2. 单粒子翻转宽容闩与并行节点
  3. 所属分类:其它

  1. 基于电路设计的CMOS器件闩锁现象分析与讨论

  2. 基于电路设计的CMOS器件闩锁现象分析与讨论、电子技术,开发板制作交流
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-03
    • 文件大小:221kb
    • 提供者:weixin_38735570
  1. 3个实用方法避免电路中的闩锁效应

  2. 闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件。这种情况将由触发事件(电流注入或过电压)引起,但一旦触发,即使触发条件不再存在,低阻抗路径仍然存在。这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。在设计电路应用时,请确保应用于器件的电压和电流水平符合额定值要求。   在电路设计时, 可以考虑以下建议来防止闩锁问题。   1. 如果由于上电排序而发生闩锁,可以利用二极管与VDD串联如果任何时候器件的数字输入或输出都超过VDD,可以在VDD串联二
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:124kb
    • 提供者:weixin_38570854
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