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  1. AS5040中文版.pdf

  2. AS5040全部研发资料，提供PWM输出以及SPI和ABZ接口，为微控制器提供绝对角度测量。在进行机械设计时无须考虑芯片初始零位和它 所使用磁铁磁极的精确配对，取而代之的方案是：零位可以通过软件编程使用简单的SPI命令（无需特殊的编程设备）即可编程进AS5040内部的存储器。As504010位可编程磁旋转编码器 austriamicrosystems cSn接逻辑高电平时,可将数据输出引脚(DO)置 引脚8(Pg月于在OTP内编程设置不同的增量 为三态,并终止串行数据传输。脚也用于对准模式 接口

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-07-16
    • 文件大小：871kb
    • 提供者：cao_zuo_xi_tong

  1. 发孔腐蚀工艺对电容器阳极铝箔比容的影响

  2. 用H2SO4-HC l腐蚀体系对高纯铝箔在不同条件下进行发孔腐蚀实验,在85℃扩孔腐蚀液中以0.15 A/cm2的直流电流扩孔腐蚀600 s,经化成处理后采用静电容量测试仪测量腐蚀箔的比容。研究了HC l浓度、电流密度、时间和温度对腐蚀箔比容的影响规律,利用SEM分析了腐蚀孔的形态变化。结果表明,随着c(HC l)的增加,比容呈先增大后减小的规律,当c(HC l)=2.0mol/L时,比容达到最大值;电流密度、时间、温度对比容的影响也有与c(HC l)类似的规律,比容达到最大值所对应的电流密度、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-10
    • 文件大小：525kb
    • 提供者：weixin_38610573

  1. 阳极处理工艺

  2. 铝型 材阳极 处理 工艺

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2013-03-28
    • 文件大小：143kb
    • 提供者：u010074919

  1. 电焊工中级理论知识参考题(200题)

  2. 一、单项选择 1. 对施工单位或人员来说绝对不允许不按图纸施工，同时也绝对不允许擅自更改(　　)。 A、交工日期 B、施工予算 C、施工要求 D、施工概算 2. 起重5～300吨的YQ型手动液压千斤顶起重高度为(　　)。 A、100～120毫米 B、160～180毫米 C、140～160毫米 D、180～200毫米 3. 金属发生同素异构转变时与金属结晶一样，是在(　　)下进行的。 A、冷却 B、加热 C、恒温 D、常温 4. 电路中某点的电位就是该点与电路中(　　)。 A、零电位点之间的电压

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-03-09
    • 文件大小：65kb
    • 提供者：hldwlj

  1. 单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计

  2. 本文介绍的单片集成电容式压力传感器，传感器电容结构由多晶硅／栅氧／n阱硅构成，并通过体硅腐蚀和阳极键合等后处理工艺完成了电容结构的释放和腔的真空密封。接口电路基于电容一频率转化电路，该电路结构简单，并通过“差频”，消除了温漂和工艺波动的影响，具有较高的精度。 此内容为AET网站原创，未经授权禁止转载。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226kb
    • 提供者：weixin_38685857

  1. 单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计

  2. 1 引 言 　　单片集成是MEMS传感器发展的一个趋势，将传感器结构和接口电路集成在一块芯片上，使它具备标准IC工艺批量制造、适合大规模生产的优势，在降低了生产成本的同时还减少了互连线尺寸，抑制了寄生效应，提高了电路的性能。 　　本文介绍的单片集成电容式压力传感器，传感器电容结构由多晶硅／栅氧／n阱硅构成，并通过体硅腐蚀和阳极键合等后处理工艺完成了电容结构的释放和腔的真空密封。接口电路基于电容一频率转化电路，该电路结构简单，并通过“差频”，消除了温漂和工艺波动的影响，具有较高的精度。 　　2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38750406

  1. 显示/光电技术中的集成光电探测器彩色传感器

  2. 图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 　　P+-N型光电二极管采用在电阻率p＝6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二极管的P＋阳极被轻掺杂的P型扩散保护环包围，其作用是提高P+-N结的反向击穿电压。对于彩色传感器来说，应用时需要在两个结构完全相同的光电二极管上分别加上不同的反向偏压。以使得它们的空间电荷区宽度有所差异，如图1所示中的d1和d2。彩色传感器的具体工作机理相当复杂。我们假设硅对蓝色光的吸收深度小于d

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：69kb
    • 提供者：weixin_38702339

  1. 制备工艺对多孔氧化铝膜结构的影响

  2. 以硫酸、草酸溶液为电解液,采用二次阳极氧化法制备了高度有序的多孔氧化铝膜。采用X射线衍射测定了铝箔退火前后的晶体结构, 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)对多孔氧化铝膜形貌进行了表征。成功制备出孔径分布为20～100 nm, 孔间距在50～150 nm, 孔深在0.2～70 μm, 孔密度在109～1012 /cm2范围内可调控的有序多孔氧化铝膜。讨论了多孔氧化铝膜的形成过程及机理, 分析了铝箔预处理、氧化电压、电解液种类、浓度对多孔氧化铝膜结构的影响。

  3. 所属分类：其它

  1. 平行栅结构氧化锌场致发射显示器的研制

  2. 用陈化处理过的锌粉为原料,采用高温气相氧化法制备四针状氧化锌材料。应用厚膜、光刻工艺和丝网印刷法制作氧化锌场发射阴极阵列。将阴极板与阳极荧光板制成了5英寸(12.7 cm)单色平行栅结构场致发射显示器(FED)并对其进行了场发射性能测试。分析讨论了影响发射性能的栅极电压、阳极电压以及阴极厚度等参数。该FED在约4000 V阳极电压和300 V栅极电压的驱动下能实现全屏发光。实验结果表明,氧化锌平行栅结构FED具有良好的栅极调控作用,场致发射性能良好,具有良好的应用前景。

  3. 所属分类：其它

  1. 表面处理工艺对铝合金抗激光损伤能力的影响

  2. 研究了表面处理工艺对铝合金表面抗激光损伤能力的影响。结果表明，在相同纳秒激光脉冲辐照下，与机械抛光相比，化学镀镍、阳极氧化黑和硬质阳极氧化处理的表面损伤阈值较低，而钝化和微弧氧化的损伤阈值较高；相同处理工艺但不同参数对应的损伤阈值不同。通过比较不同工艺表面的相关物理参数，对损伤阈值、形貌和规律进行了分析。结果表明，钝化更适用于高功率激光装置中铝合金表面的处理。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：17mb
    • 提供者：weixin_38505158

  1. 阳极氧化铝表面激光处理工艺与机理

  2. 为了解决铝材表面激光处理无法形成高色差、高对比度的黑色图形问题,以阳极氧化5052铝合金为研究对象,选用脉冲宽度为4 ns的光纤激光器,设定扫描速度为130 mm/s,频率为300 kHz,扫描间距为0.005 mm,设定功率为27%P0~33%P0(P0为激光器的额定功率),以得到高色差、高对比度的黑色图形,研究激光功率对图形对比度及微观形貌的影响,分析阳极氧化铝表面激光处理形成图形的机理。结果表明:当激光功率超过1.64 W时,激光能量达到铝材熔化阈值,材料表面开始形成图形,随着功率的增大,

  3. 所属分类：其它

  1. 集成光电探测器彩色传感器

  2. 图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 　　P+-N型光电二极管采用在电阻率p＝6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二极管的P＋阳极被轻掺杂的P型扩散保护环包围，其作用是提高P+-N结的反向击穿电压。对于彩色传感器来说，应用时需要在两个结构完全相同的光电二极管上分别加上不同的反向偏压。以使得它们的空间电荷区宽度有所差异，如图1所示中的d1和d2。彩色传感器的具体工作机理相当复杂。我们假设硅对蓝色光的吸收深度小于d

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：weixin_38628362