已知使用谐振拓扑结构的降压转换器可提供比基于传统脉冲宽度调制（PWM）或硬开关架构的电源更高的性能。尽管传统的高密度硬开关稳压器已经发展成为改进的半导体集成，低导通电阻MOSFET和先进的封装，但它们的设计已不再足以满足新的功率需求，这主要是由于其内部的开关损耗。稳压器MOSFET，随着开关频率或输入电压的增加而增加。 此外，传统降压调节器由于栅极驱动电路内的米勒电荷耗散而表现出更高的栅极驱动损耗。同样，由于反向恢复和长导通，高端MOSFET的体二极管导通会导致更高的功率损耗（图1）