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  1. 陷获离子的两比特纠缠生成

  2. 已经提出了许多用于纠缠两个俘获离子量子位的方案。 量子位态通过离子与光场之间的相互作用耦合到被捕获离子的外部运动，这是产生纠缠的关键。 本文主要旨在回顾一些典型的量子门及其优缺点。 通过设计耗散过程的不同方案也被简要地提及。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：126kb
    • 提供者：weixin_38501610